XP8 Magma 是 ASM 最先進的 300mm 電漿 ALD(PEALD)設備,專為先進節點的記憶體與邏輯製造而開發。
1 個平台最多搭載 4 個高性能反應腔,最多可同時處理 16 片晶圓,以小佔地面積達到高產能。支援包含先進氧化矽(SiO)與氮化矽(SiN)在內的多種介電膜 PEALD。
用於 SiO 的襯墊層、間隔層、蝕刻停止層、高深寬比的 SiO 間隙填充、TSV 的 SiO 襯墊層、VNAND 用的 R-Pad SiN,以及間隙填充・間隔層・CMP 停止層用的低溫 SiN 等。
最多可同時處理 16 片晶圓、針對先進記憶體與邏輯的 ASM PEALD 設備,支援 SiO・SiN 的先進製程。
XP8 Magma 是 ASM 最先進的 300mm 電漿 ALD(PEALD)設備,專為先進節點的記憶體與邏輯製造而開發。
1 個平台最多搭載 4 個高性能反應腔,最多可同時處理 16 片晶圓,以小佔地面積達到高產能。支援包含先進氧化矽(SiO)與氮化矽(SiN)在內的多種介電膜 PEALD。
用於 SiO 的襯墊層、間隔層、蝕刻停止層、高深寬比的 SiO 間隙填充、TSV 的 SiO 襯墊層、VNAND 用的 R-Pad SiN,以及間隙填充・間隔層・CMP 停止層用的低溫 SiN 等。
| 方式 | 電漿 ALD(PEALD) |
|---|---|
| 構成 | 最多 4 個反應腔・同時 16 片 |
| 主要用途 | SiO 襯墊層・間隔層・TSV 襯墊層・VNAND 的 R-Pad SiN |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
ASM International(總部:荷蘭)