奈米壓印微影（NIL：Nano-Imprint Lithography）是將刻有奈米結構的模具（模板）以物理方式壓入樹脂（光阻），藉此轉移圖案的微影技術。不像光學微影受限於光的繞射極限，能依模板形狀形成圖案，理論上可實現數nm以下的間距。佳能（FPA-1200NZ系列）已量產半導體用NIL設備，在鎧俠3D NAND製造上的應用也在推進中。
NIL的主要製程包括4個步驟：1將液態UV光阻塗佈於晶圓上，2壓上刻有奈米結構的石英模板，3以UV照射使光阻硬化，4剝離模板以形成圖案。1次曝照即可同時形成大量奈米圖案，設備成本與運轉成本有可能大幅低於EUV曝光機。不過，模板的缺陷有轉印到整片晶圓的風險，模板缺陷管理與修補技術是重要課題。
與EUV相比，NIL的定位是互補的。EUV的強項在於複雜多層電路的二維圖案化，NIL則適合同一圖案的高產能重複形成（3D NAND單元陣列、HDD磁性圖案）。鎧俠將NIL應用於3D NAND的單元陣列層以追求降低成本，作為次世代量產曝光技術的候選而備受矚目。兩者的詳細比較請見奈米壓印與EUV的差異（次世代微影比較）的比較文章。