M-8000 系列是日立高新技術(Hitachi High-Tech)的導體蝕刻設備。對應 32nm 世代以後的硬遮罩與矽加工。
透過與先進元件廠商及材料・設備廠商的共同開發(JDP),也對應雙重圖案化等新製程,以及高介電常數閘極絕緣膜、金屬閘極等新材料。
日立獨家的微波 ECR 方式蝕刻腔體,以高速晶圓溫度控制、高真空控制與同軸腔體結構,實現優異的尺寸控制性與晶圓面內均勻性。並以獨家資料收集・分析・控制系統的 AEC・APC 技術,協助提升生產力。
對應 32nm 世代以後硬遮罩・矽加工的日立高新技術(Hitachi High-Tech)300mm 蝕刻設備。
M-8000 系列是日立高新技術(Hitachi High-Tech)的導體蝕刻設備。對應 32nm 世代以後的硬遮罩與矽加工。
透過與先進元件廠商及材料・設備廠商的共同開發(JDP),也對應雙重圖案化等新製程,以及高介電常數閘極絕緣膜、金屬閘極等新材料。
日立獨家的微波 ECR 方式蝕刻腔體,以高速晶圓溫度控制、高真空控制與同軸腔體結構,實現優異的尺寸控制性與晶圓面內均勻性。並以獨家資料收集・分析・控制系統的 AEC・APC 技術,協助提升生產力。
| 方式 | 微波 ECR 電漿蝕刻(同軸腔體結構) |
|---|---|
| 對應晶圓尺寸 | 300 mm |
| 設備組成 | 最多 4 個腔體 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
日立高新技術(Hitachi High-Tech)(總部:日本)