M-8000 シリーズ（コンダクターエッチング装置）

32nm 世代以降のハードマスク・シリコン加工に対応する日立ハイテクの 300mm エッチング装置。

M-8000 シリーズとは

M-8000 シリーズは、日立ハイテクのコンダクターエッチング装置です。32nm 世代以降のハードマスクとシリコンの加工に対応します。

先端デバイスメーカーや材料・装置メーカーとの共同開発（JDP）で、ダブルパターニングなどの新しいプロセスや、高誘電率ゲート絶縁膜、メタルゲートなどの新材料にも対応しています。

日立独自のマイクロ波 ECR 方式のエッチングチャンバは、高速なウェーハ温度制御、高真空制御、同軸のチャンバ構造で、優れた寸法制御性とウェーハ面内均一性を実現します。独自のデータ収集・解析・制御システムによる AEC・APC の技術で、生産性の向上にも貢献します。

方式	マイクロ波 ECR プラズマエッチング（同軸チャンバ構造）
対応ウェハ径	300 mm
装置構成	最大 4 チャンバ

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Applied MaterialsCentura® Etch	日立ハイテク9000 シリーズ（コンダクターエッチング装置）	日立ハイテクM-8000 シリーズ（コンダクターエッチング装置）
方式	反応性イオンエッチング（RIE）	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	枚葉・マルチチャンバー（最大 4 チャンバー）	マイクロ波 ECR プラズマエッチング	マイクロ波 ECR プラズマエッチング（同軸チャンバ構造）
対応ウェハ径	300 mm	—	150／200 mm（Centura AP は 200／300 mm）	300 mm	300 mm
主要用途	コンダクタ・絶縁膜エッチング	High-k/メタルゲート・マルチパターニング	パワー・MEMS・化合物半導体などの成熟ノード	—	—
装置構成	—	—	—	最大 9 チャンバ（リンク式プラットフォーム）	最大 4 チャンバ

1機種だけが掲載している項目（3件）

チャンバー構成	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	—	—	—	—
主な技術	—	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	—	—	—
対象	—	—	ポリSi・メタル・酸化膜・DRIE	—	—