最後更新:2026年10月23日多晶矽蝕刻機

Centura Etch的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・多晶矽蝕刻機

蝕刻矽・金屬・介電膜的應用材料(Applied Materials)單晶圓多腔體設備。有 150/200mm 用機型,以及 200/300mm 用的 Centura AP。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Centura Etch 是應用材料(Applied Materials)以高生產力進行矽・金屬・介電膜蝕刻的單晶圓多腔體設備。無論是閘極、元件隔離溝槽、高深寬比接觸窗,或導線層的金屬與介電膜,精準且均勻地控制 CD(尺寸)都是良率的關鍵。

為 150mm/200mm 設計的系統,支援未滿 110:1 的高深寬比蝕刻,以及 ITO・SiC・InGaAlP・GaAs・GaN 等新材料的蝕刻,支撐包含功率元件與 LED 在內的 More than Moore 用途。Centura 與 Centura AP 的主機最多可以 4 個製程腔體進行連續處理。

150/200mm 的 Centura DPS DTM 以 DRIE 控制側壁平滑度與溝槽形狀,Centura DPS Plus 則被視為金屬蝕刻的業界標準。200/300mm 的 Centura AP 支援多晶矽・金屬・氧化膜・DRIE 的蝕刻,並具備考量包含 III-V 材料在內多樣基板傳送的功能。

主要規格

適用晶圓尺寸150/200 mm(Centura AP 為 200/300 mm)
方式單晶圓・多腔體(最多 4 腔體)
對象多晶矽・金屬・氧化膜・DRIE
主要用途功率・MEMS・化合物半導體等成熟節點

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

最多 4 個製程腔體的單晶圓多腔體配置
深寬比未滿 110:1 的高深寬比蝕刻
支援 SiC・GaN・GaAs・ITO 等新材料
EyeD 全光譜終點偵測

主要用途

  • 多晶矽・金屬・氧化膜的蝕刻
  • 功率元件・LED・MEMS 的 DRIE

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

所屬設備分類

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Centura Etch