多晶矽蝕刻機是什麼

多晶矽蝕刻機是以氯系・溴系電漿，精密加工廣泛用作閘極電極・硬遮罩・電極材料之多晶矽膜的設備。在FinFET的閘極圖形化與3D NAND的字元線堆疊形成中特別重要，需要對氧化膜的高選擇比與輪廓控制能力。在虛擬閘極（取代式閘極）製程中也扮演核心角色。

重點整理

以氯系・溴系氣體高精度蝕刻多晶矽

對閘極氧化膜（SiO₂・HfO₂）的高選擇比可保護薄膜閘極絕緣層

大量用於FinFET閘極圖形化・3D NAND字元線形成

在虛擬閘極製程（RMG）中負責閘極去除工序

抑制微負載效應是製程均勻性的課題

為什麼多晶矽蝕刻使用溴系氣體？

因為HBr（溴化氫）對氧化膜的選擇比高於氯系氣體，能在不損傷薄閘極氧化膜的情況下，只精密去除多晶矽。它還具有側壁保護（鈍化）效果，有助於維持垂直輪廓。

主要設備廠商有哪些？

科林研發（Lam Research，美國）、應用材料（Applied Materials，美國）、東京威力科創（TEL，日本）3家公司引領市場。

灰化設備是以氧電漿產生的氧自由基，將光阻分解為二氧化碳與水，並以氣體形式去除的設備。

乾式蝕刻設備（乾式蝕刻機）是使用電漿或反應性氣體，在氣相中精密去除矽・氧化膜・金屬薄膜等的半導體前段製程設備一覽。

各材料專用蝕刻機（Material Etcher）是指在乾式蝕刻中，針對要去除的薄膜材料（氧化膜・氮化膜・多晶矽・金屬・化合物半導體等），分別最佳化電漿化學物種・氣體配方・電極結構…

金屬蝕刻機是以電漿精密去除鋁・鎢・鈦・鈷・釕等金屬導線・阻障金屬層的專用乾式蝕刻設備。

氧化膜蝕刻機是以電漿精密去除矽氧化膜（SiO₂）・高介電常數氧化膜（HfO₂等）・BPSG・TEOS氧化膜等絕緣膜的專用設備。

矽蝕刻機是以電漿或反應性氣體選擇性去除單晶矽・磊晶矽的設備，用於STI（淺溝槽隔離）・深溝槽電容・FinFET鰭片形成・SOI加工等多種工序。

濕式蝕刻設備是使用氫氟酸（HF）・硝酸・氫氧化鉀（KOH）等藥液，在液相中溶解・去除晶圓表面氧化膜・氮化膜・金屬等的設備。