最後更新:2026年10月23日PECVD(電漿 CVD)

SPTS Delta PECVD的特點與規格

科磊(KLA)・PECVD(電漿 CVD)

在 80~400℃ 沉積多種介電膜的 PECVD。用於 RF・功率・光子・MEMS 的低溫製程。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

SPTS Delta PECVD 是科磊(KLA,SPTS)的 PECVD 設備。PECVD 以電漿的能量促進晶圓表面的化學反應,在低於 400℃ 的溫度下形成薄膜。可透過沉積中的離子轟擊調整薄膜的電氣與機械特性。

廣泛用於 RF、功率、光子、MEMS 領域,特別是需要低處理溫度的用途。

Delta fxP 叢集系統擁有從 80℃ 到 400℃ 的廣泛介電膜製程庫。也支援用於脆弱基板除氣的單片・多片預熱室,以及在晶圓背面沉積用的邊緣接觸處理。

主要規格

方式PECVD(Delta fxP 叢集)
沉積溫度80~400℃
主要用途RF・功率・光子・MEMS

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

80~400℃ 沉積
豐富的介電膜製程
支援預熱室・背面沉積

主要用途

  • RF・功率・MEMS 的介電膜
  • 光子

製造商與在台據點

在台據點
  • 台灣總部(新竹縣竹北市):台元科技園區,2025 年啟用新辦公室與訓練中心
  • 各地據點(新竹・桃園・林口・台中・台南・高雄):就近支援各科學園區的客戶

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資料來源

  1. 科磊(KLA)官方產品頁面:KLA