Producer Precision Selective Nitride 是應用材料開發的選擇性・由下而上氮化膜沉積技術。因應 GAA（環繞式閘極）電晶體中 STI（淺溝槽隔離）周圍的問題。
隨著微縮推進，後續製程的強力蝕刻會削去 STI 的氧化膜使其變低（凹陷），寄生電容增加，元件性能下降。此技術在溝槽底部沉積氮化膜作為 STI 的保護層，維持 STI 的高度並降低寄生電容。
由於是由下而上填入的沉積方式，也可應用於各種填隙（gap fill）用途。
Producer Precision Selective Nitride PECVD的特點與規格
應用材料（Applied Materials）・PECVD（電漿 CVD）
從溝槽底部選擇性堆積氮化膜的由下而上沉積技術。在 GAA 電晶體中防止 STI 氧化膜後退。
產品概要
主要規格
| 方式 | 選擇性・由下而上的氮化膜 PECVD |
|---|---|
| 對象結構 | GAA 電晶體的 STI |
| 效果 | 維持 STI 高度・降低寄生電容 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
從溝槽底部選擇性沉積
防止 STI 後退的保護層
也可應用於填隙
主要用途
- GAA 電晶體的 STI 保護
- 先進邏輯的填隙
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹科學園區）：1996 年進駐，技術研發中心
- 台南據點（台南）：製造中心與顯示器設備製造研發中心
- 林口・台中據點（林口・台中）：營運據點
所屬設備分類
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