Producer DARC PECVD 是應用材料的介電質抗反射層（DARC）沉積設備。抑制曝光時的反射，減少光阻劣化（毒化），並提高光阻的附著性。用於 14nm 以下的技術。
與可剝除的 CVD 硬遮罩 APF 組成 APF／DARC 堆疊，改善蝕刻選擇比、CD 控制與線邊緣粗糙度。
折射率與消光係數可大範圍調整，能在各種用途中控制反射。可與其他 CVD 介電膜原位連續沉積，也能壓低持有成本。廣泛用於閘極、多晶矽、鋁導線的微影，DARC 193 與 Low-k 膜的附著性佳，也適合雙鑲嵌。
Producer DARC PECVD的特點與規格
應用材料（Applied Materials）・PECVD（電漿 CVD）
沉積 14nm 以下微影用介電質抗反射層（DARC）的 PECVD。與 APF 硬遮罩搭配使用。
產品概要
主要規格
| 方式 | PECVD（介電質抗反射層） |
|---|---|
| 對象世代 | 14nm 以下 |
| 搭配 | APF（Advanced Patterning Film）硬遮罩 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
抗反射層（DARC）
與 APF 硬遮罩堆疊
可調整折射率・消光係數
主要用途
- 微影的抗反射
- 雙鑲嵌導線
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹科學園區）：1996 年進駐，技術研發中心
- 台南據點（台南）：製造中心與顯示器設備製造研發中心
- 林口・台中據點（林口・台中）：營運據點
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