Producer Black Diamond 是應用材料的 Low-k（低介電常數）介電膜 PECVD 技術。Low-k 膜可降低導線的 RC 延遲以加快訊號、降低功耗，但介電常數越低，機械強度也越差。
強化版 Black Diamond 進一步降低最小 k 值，使 2nm 以下的微縮成為可能，同時提高邏輯與記憶體 3D 堆疊所需的機械強度。這種新的緻密 Low-k 膜 k 值可大範圍調整，可用於任何導線層。
前一代的 Black Diamond II 是唯一用於量產的奈米多孔 Low-k 膜（k≒2.55）。沉積有機矽酸鹽玻璃骨架與受熱分解的有機相，再以 UV 固化去除有機相使其成為多孔。在先進節點持續獲得邏輯與記憶體大廠採用。