深矽蝕刻（DRIE / RIE）的產品系列。科林研發將CMOS影像感測器的深溝槽結構列為主要課題之一，並表示需要平滑的側壁輪廓與嚴格的錐度控制。
Syndion 是科林研發深矽蝕刻（DRIE）用的產品系列。可在精密控制深度與面內均勻性的同時，在矽中形成比電晶體或記憶體單元大好幾個數量級的結構。
矽穿孔（TSV）是縱向貫穿晶粒或晶圓進行電氣連接的結構，是包含異質晶片整合在內之先進封裝的關鍵。CMOS 影像感測器的深溝槽也面臨相同課題，需要平滑的側壁與嚴格的錐度控制。深度均勻性、CD 均勻性與遮罩選擇比也很重要。
以高速切換的製程（RAP）精密維持溝槽的深度均勻性。以高蝕刻速率、優異的再現性，以及對 TSV 堆疊多種材料（矽・絕緣膜・導電膜）的原位蝕刻，降低持有成本。產品有 Syndion C、F 系列、G 系列。
| 設備類別 | 深矽蝕刻設備（DRIE / RIE） |
|---|---|
| 產品組成 | Syndion C / Syndion F-Series / Syndion G-Series |
| 製程方式 | 以RAP（Rapidly Alternating Process）控制深度均勻性 |
| CIS用途要求 | 側壁平滑性・錐度控制・深度/CD均勻性・遮罩選擇比 |
| 主要用途 | CIS的深溝槽（DTI）形成、TSV形成、功率元件的深溝槽 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。