Syndion®（深堀りシリコンエッチング）

深堀りシリコンエッチング（DRIE / RIE）の製品ファミリー。Lam Researchは主要課題のひとつにCMOSイメージセンサーの深いトレンチ構造を挙げ、滑らかな側壁プロファイルと厳しいテーパー制御が求められると説明しています。

Syndionとは

Syndion は、Lam Research の深掘りシリコンエッチング（DRIE）用プロダクトファミリーです。トランジスタやメモリセルより何桁も大きな構造を、深さと面内均一性を精密に制御しながらシリコンに形成します。

シリコン貫通電極（TSV）は、ダイやウェーハを縦に貫いて電気的につなぐ構造で、異種チップ集積を含む先端パッケージの要です。CMOS イメージセンサーの深いトレンチも同様の課題を抱え、滑らかな側壁と厳しいテーパー制御が求められます。深さ均一性、CD 均一性、マスク選択比も重要です。

高速に切り替わるプロセス（RAP）でトレンチの深さ均一性を精密に保ちます。高いエッチングレート、優れた再現性、TSV スタックの複数材料（シリコン・絶縁膜・導電膜）のその場エッチングで所有コストを下げます。製品には Syndion C、F シリーズ、G シリーズがあります。

装置種別	深堀りシリコンエッチング装置（DRIE / RIE）
製品構成	Syndion C / Syndion F-Series / Syndion G-Series
プロセス方式	RAP（Rapidly Alternating Process）による深さ均一性制御
CIS向け要件	側壁の平滑性・テーパー制御・深さ/CD均一性・マスク選択比
主要用途	CISの深いトレンチ（DTI）形成、TSV形成、パワーデバイスの深溝

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。