IVS 280 是 Onto Innovation 面向 100~200mm 晶圓的疊對・CD・Z 高度量測設備,專為滿足功率、化合物半導體、MEMS 領域的嚴苛要求而設計。
追求精度、設備引起的偏移(TIS)與產能,平均故障間隔(MTBF)超過 2,000 小時。也對應符合 SEMI 標準的天車搬送。
化合物半導體製程重視彈性,可處理 Si、SiC、石英、玻璃、GaAs、GaN、LiNbO₃ 等各種尺寸・厚度・組成的晶圓。配方執行中不需操作人員協助,變更晶圓尺寸也不需變更硬體。
面向 100~200mm 晶圓的疊對・CD・Z 高度量測設備,面向功率・化合物・MEMS。
IVS 280 是 Onto Innovation 面向 100~200mm 晶圓的疊對・CD・Z 高度量測設備,專為滿足功率、化合物半導體、MEMS 領域的嚴苛要求而設計。
追求精度、設備引起的偏移(TIS)與產能,平均故障間隔(MTBF)超過 2,000 小時。也對應符合 SEMI 標準的天車搬送。
化合物半導體製程重視彈性,可處理 Si、SiC、石英、玻璃、GaAs、GaN、LiNbO₃ 等各種尺寸・厚度・組成的晶圓。配方執行中不需操作人員協助,變更晶圓尺寸也不需變更硬體。
| 對應晶圓尺寸 | 100~200 mm |
|---|---|
| 對應基板 | Si・SiC・石英・玻璃・GaAs・GaN・LiNbO₃ |
| 可靠度 | MTBF 超過 2,000 小時 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
Onto Innovation(總部:美國)