Onto Innovation/オーバーレイ計測装置

IVS 280

100〜200mm のウェーハ向けの重ね合わせ・CD・Z 高さ計測装置。パワー・化合物・MEMS 向け。

IVS 280とは

IVS 280 は、Onto Innovation の 100〜200mm ウェーハ向けの重ね合わせ・CD・Z 高さ計測装置です。パワー、化合物半導体、MEMS の分野の厳しい要求に応えるように設計されています。

精度、装置起因のずれ(TIS)、スループットを追求し、平均故障間隔(MTBF)は 2,000 時間を超えます。SEMI 規格に沿った天井搬送にも対応します。

化合物半導体の工程では柔軟性が重要で、Si、SiC、石英、ガラス、GaAs、GaN、LiNbO₃ などさまざまなサイズ・厚さ・組成のウェーハを扱えます。レシピ実行中はオペレーターの介助が不要で、ウェーハサイズの変更にもハードウェアの変更が要りません。

主な特長

  • •100〜200mm 対応
  • •多様な化合物ウェーハに対応
  • •MTBF 2,000 時間超

主な仕様

対応ウェハ径100〜200 mm
対応基板Si・SiC・石英・ガラス・GaAs・GaN・LiNbO₃
信頼性MTBF 2,000 時間超

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目KLAArcher™ 750KLAATL100™KLAArcher™ PowerASMLYieldStar 1390ASMLYieldStar 1385ASMLYieldStar 500Onto InnovationIVS 380Onto InnovationIVS 280ニコン(Nikon)Litho Booster
方式—スキャトロメトリ重ね合わせ計測(波長可変レーザー・分解能 1nm)イメージング重ね合わせ・CD 計測光学計測(エッチング後)光学計測(エッチング後)回折ベースの光学計測(エッチング前)光学式の重ね合わせ・CD・Z 高さ計測——
特徴波長可変光源リアルタイム Homing・ダイ内/小ピッチターゲット対応—高強度光源・機械学習アルゴリズム複数層の同時計測・高いサンプリング密度TWINSCAN ステージ技術・新センサー———
対応基板——Si・SiC・GaN・GaAs・ガラス・サファイアなど———200mm(SMIF)・300mm(FOUP)、Si・ガラス・CCLSi・SiC・石英・ガラス・GaAs・GaN・LiNbO₃—
対応ウェハ径——150/200/300 mm・ブリッジ構成————100〜200 mm—
測定項目———デバイス上の重ね合わせ・傾き・CD—重ね合わせ・フォーカス———
1機種だけが掲載している項目(10件)
測定方式イメージングベース・オーバーレイ計測————————
対象世代7nm 以下ロジック・先端メモリ————————
関連機種Archer 800(後継)・ATL100(散乱計測方式)————————
対象ノード—7nm 以下———————
測定対象————デバイス上の特徴・専用の小型ターゲット————
主要用途——————RDL 配線・ポスト・バンプの計測——
信頼性———————MTBF 2,000 時間超—
計測————————露光前の全ウェハ・全ショットのグリッド歪み
補正————————露光装置へのフィードフォワード
組み合わせ————————液浸スキャナー・ドライスキャナー

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •パワー・化合物・MEMS の重ね合わせ計測

掲載カテゴリ

IVS 280は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Onto Innovation

Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。

Onto Innovation の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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