以 10nm 世代以後為對象的 300mm 塗佈顯影機。長期在包含 EUV 的先進微影製程中被量產採用的機種。
目錄6 項
- 產品概要
- 主要規格
- 主要特點
- 常見問題
- 製造商與在台據點
- 資料來源
產品概要
CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z 是東京威力科創（TEL）支援 300mm 的塗佈顯影機。負責光阻塗佈、曝光後顯影與各種烘烤，與曝光機以線上（inline）方式連接使用。
支援 10nm 節點以下的最新微影製程，可處理 EUV・浸潤式・ArF・KrF・i-line・SOC（旋塗碳）各製程。產能為線上 300wph。以抑制發塵的傳送方式，以及不接觸晶圓斜邊（bevel）的結構來抑制缺陷。
LITHIUS 系列是承襲高市占率 CLEAN TRACK ACT 系列技術的產品群。系列中還有支援含 High-NA 在內 EUV 的 LITHIUS Pro DICE（線上 440wph），以及針對封裝的 LITHIUS Pro AP。
主要規格
| 適用晶圓尺寸 | 300 mm |
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| 適用節點 | 10 nm 世代以後 |
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| 產能 | 線上（inline）300 wph |
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| 適用製程 | EUV・浸潤式・ArF・KrF・i-line・SOC |
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| 相關機種 | LITHIUS Pro AP（支援 300 mm／200 mm）（衍生機種） |
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| 主要用途 | 光阻塗佈・顯影・各種烘烤 |
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規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
EUV・浸潤式・ArF・KrF・i-line・SOC 各製程 主要用途
- EUV・浸潤式曝光製程中的光阻塗佈・顯影・烘烤
- SOC（旋塗碳）等下層膜的塗佈
CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z的常見問題
LITHIUS Pro Z 與 LITHIUS Pro DICE 有何不同？
Pro DICE 是支援含 High-NA 在內 EUV 製程的機種，產能為線上 440wph，並強化了缺陷控制技術與設備資料收集功能。Pro Z 則針對 10nm 節點以下，產能為線上 300wph。
製造商與在台據點
在台據點
- 台灣東京威力科創（新竹）：台灣子公司（1996 年成立）。設有訓練中心，並規劃擴建無塵室
- 台南營運中心（台南）：動工時預計 2024 年下半年完工，樓地板面積約 3.5 萬平方公尺，可容納近千名員工，負責零組件處理、技術服務與維修