CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z
10nm世代以降を対象とした300mm向けコータ/デベロッパ。EUVを含む先端リソグラフィ工程で長く量産採用されてきた機種。
CLEAN TRACK LITHIUS Pro Zとは
CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z は、東京エレクトロン(TEL)の 300mm 対応コータ/デベロッパです。レジストの塗布、露光後の現像、各種ベークを行う装置で、露光装置とインラインで接続して使います。
10nm ノード以細の最新リソグラフィ工程に対応し、EUV・液浸・ArF・KrF・i線・SOC(スピンオンカーボン)の各プロセスを扱えます。スループットはインラインで 300wph です。発塵を抑えた搬送方式と、ウェーハのベベルに触れない構造で欠陥を抑えています。
LITHIUS シリーズは、高いシェアを持った CLEAN TRACK ACT シリーズの技術を継いだ製品群です。シリーズには High-NA を含む EUV に対応した LITHIUS Pro DICE(インライン 440wph)や、パッケージング向けの LITHIUS Pro AP もあります。
主な特長
- •10nm ノード以細の最新リソグラフィに対応
- •EUV・液浸・ArF・KrF・i線・SOC の各プロセス
- •インライン 300wph のスループット
- •低発塵搬送・ウェーハベベル非接触
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 対応ノード | 10 nm 世代以降 |
| スループット | インライン 300 wph |
| 対応プロセス | EUV・液浸・ArF・KrF・i線・SOC |
| 関連機種 | LITHIUS Pro AP(300 mm/200 mm対応)(派生機種) |
| 主要用途 | レジスト塗布・現像・各種ベーク |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン(TEL)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE | 東京エレクトロン(TEL)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z | SCREENホールディングスDT-3000(SOKUDO DUO) |
|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | 300 mm |
| 主要用途 | 先端リソグラフィのレジスト塗布・現像 | レジスト塗布・現像・各種ベーク | — |
| スループット | — | インライン 300 wph | 450 枚/時 以上 |
| 対応プロセス | — | EUV・液浸・ArF・KrF・i線・SOC | 液浸リソグラフィ・電子ビーム・DSA |
1機種だけが掲載している項目(7件)
| 位置づけ | LITHIUS Pro Z の後継機 | — | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | High-NA EUVプロセス向け欠陥制御技術 | — | — |
| 販売開始 | 2025年12月 | — | — |
| 対応ノード | — | 10 nm 世代以降 | — |
| 関連機種 | — | LITHIUS Pro AP(300 mm/200 mm対応)(派生機種) | — |
| 構成 | — | — | デュアルトラック(2プロセスライン並列) |
| 運用 | — | — | 片ラインのメンテナンス中も生産継続が可能 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •EUV・液浸露光工程でのレジスト塗布・現像・ベーク
- •SOC(スピンオンカーボン)など下層膜の塗布
掲載カテゴリ
CLEAN TRACK LITHIUS Pro Zは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
よくある質問
LITHIUS Pro Z と LITHIUS Pro DICE の違いは?
Pro DICE は High-NA を含む EUV プロセスに対応した機種で、スループットはインライン 440wph、欠陥制御技術と装置データ収集機能を強化しています。Pro Z は 10nm ノード以細向けでインライン 300wph です。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
コータ/デベロッパのほかの製品
東京エレクトロン(TEL)のほかの製品
TELINDY PLUS(拡散炉)Tactras™(ドライエッチング装置)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)(ウェットエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)(シングルウェハ洗浄装置)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)(ドライ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)LEXIA™-EX(PVD)(PVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-05