uGmni-200E 是愛發科（ULVAC）的乾式蝕刻設備。可對應 1 腔至多腔，具備重視成本效益的擴充性。
以防止沉積物附著於 RF 導入窗的「星形電極」與加熱功能，提高重現性與穩定性。選配的 ISM-duo 透過分配至內外圈分離天線的 RF 比例來控制均勻性。也可選擇氣體流量可達該公司舊機 2 倍的製程室，或高溫加熱的製程室。
可追加蝕刻室或灰化室，灰化室也可選擇防止金屬蝕刻後腐蝕的微波水電漿處理。用於 LED・LD・VCSEL・高頻等化合物元件、IGBT 導線・SiC 加工等功率元件、金屬導線、閘極電極，以及鐵電體・貴金屬・磁性體的加工。