uGmni-200E（ドライエッチング装置）

1 チャンバーからマルチチャンバーまで拡張できる、コストパフォーマンス重視のドライエッチング装置。

uGmni-200Eとは

uGmni-200E は、アルバックのドライエッチング装置です。1 チャンバーからマルチチャンバーまで対応し、コストパフォーマンスを重視した拡張性を持ちます。

RF 投入窓へのデポ付着を防ぐ「スター電極」と加熱機能で再現性と安定性を高めています。オプションの ISM-duo は、内外周を分けたアンテナへの RF の分配比で均一性を制御します。ガス流量を同社比 2 倍にできるプロセス室や、高温加熱のプロセス室も選べます。

エッチング室やアッシング室を追加でき、アッシング室ではメタルエッチング後の腐食を防ぐマイクロ波の水プラズマ処理も選べます。LED・LD・VCSEL・高周波などの化合物デバイスや、IGBT 配線・SiC 加工などのパワーデバイス、メタル配線、ゲート電極、強誘電体・貴金属・磁性体の加工に使われます。

主な特長

•1〜マルチチャンバーに拡張
•ISM-duo で均一性制御
•腐食防止の水プラズマ処理

主な仕様

方式	有磁場 ICP（ISM・ISM-duo はオプション）
構成	1〜マルチチャンバー・アッシング室を追加可能
主要用途	化合物・パワーデバイス・メタル配線・強誘電体・磁性体

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Lam ResearchCoronus®（ベベルエッチング・成膜）	Lam ResearchAkara®	Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch	Applied MaterialsCentura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System	Applied MaterialsProducer® Etch	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP	ULVAC（アルバック）NE-550EX（ドライエッチング装置）	ULVAC（アルバック）uGmni-200E（ドライエッチング装置）
方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	プラズマベベルエッチング・ベベル成膜	導体エッチング（固体プラズマ源 DirectDrive）	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）	パターンシェーピング（一方向の寸法変更）	容量結合プラズマエッチング（Twin Chamber）	反応性イオンエッチング（RIE）	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源	有磁場 ICP（ISM）・枚葉式・LL 室標準	有磁場 ICP（ISM・ISM-duo はオプション）
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND	—	CFET・3D DRAM・3D NAND	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成	—	—	高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ	—	化合物・パワーデバイス・メタル配線・強誘電体・磁性体
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）	—	—	コンダクタ・EUV パターニング	先端ロジックの重要パターニング層	—	絶縁膜・コンダクタ	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など	—	—
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	—	—	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	最大 3 Twin Chamber・2 FOUP のデュアルロボット	—	—	—	1〜マルチチャンバー・アッシング室を追加可能
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	—	300 mm	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）	—	—
チャンバー構成	—	—	—	—	—	—	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）	—	—

1機種だけが掲載している項目（8件）

シリーズ構成	Versys Kiyo／Kiyo45／Kiyo C・E・F・G シリーズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	Coronus／Coronus HP／Coronus DX	—	—	—	—	—	—	—	—
特徴	—	α カーボン膜を除去できる唯一のベベルクリーン製品	—	—	—	—	—	—	—	—
応答速度	—	—	従来のプラズマ源の 100 倍以上	—	—	—	—	—	—	—
効果	—	—	—	—	パターニング工程の簡略化	—	—	—	—	—
ウェットクリーン間隔	—	—	—	—	—	500 RF 時間以上	—	—	—	—
基板サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	〜Φ200 mm	—
均一性	—	—	—	—	—	—	—	—	±5% 以内（面内・面間）	—