光・センサ・MEMSの学会・国際会議

シリコンフォトニクス（Silicon Photonics）とは、シリコンや関連材料を用いて光導波路・変調器・光検出器などの光学素子を標準CMOSプロセスと親和性の高い製造技術で作製し、光信号によるデータ伝送・処理を実現する技術分野である。

MEMS（Micro Electro Mechanical Systems／微小電気機械システム）は、半導体微細加工技術を応用して、機械的な構造体（センサー・アクチュエータ・マイクロ流路など）と電気回路を同一基板上に集積化したデバイス・技術の総称です。

CMOSイメージセンサー（CIS：CMOS Image Sensor）は、CMOS（相補型金属酸化膜半導体）技術を用いて光を電気信号に変換する固体撮像素子です。

磁気センサーとは、磁界の強さや向きを電気信号に変える素子です。

ToFセンサーとは、光を出してから物体で反射して戻るまでの時間を測り、距離を求めるセンサーです。

慣性センサーとは、物体の動きそのものを測るセンサーの総称で、直線的な加速度を測る加速度センサーと、回転の速さを測るジャイロセンサー（角速度センサー）を指します。

太陽電池（太陽光発電素子）とは、pn接合に光が当たると電子と正孔が生成され、電位差（光起電力効果）が生じて電力を取り出せる半導体デバイスです。

光起電力効果（Photovoltaic Effect）とは、物質に光を当てると電圧（起電力）が生じる現象です。

圧電効果とは、ある種の結晶に力を加えると電圧が現れ、逆に電圧をかけると変形する性質のことです。

液晶ディスプレー（LCD、Liquid Crystal Display）とは、電圧で配列が変わる液晶分子の性質を利用して、バックライトの光の透過を画素ごとに制御し映像を表示するディスプレイです。

IGZOとは、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）、酸素（O）からなる酸化物の半導体材料です。

有機半導体とは、炭素を主体とする有機化合物（高分子や低分子）でありながら半導体の性質を示す材料です。

レーザダイオード（半導体レーザ、LD）とは、pn接合での電子・正孔の再結合による発光に加え、共振器構造で光を増幅して、位相のそろった指向性の高いコヒーレントなレーザ光を出す半導体素子です。

エキシマレーザとは、希ガス（アルゴン・クリプトン・キセノン）とハロゲン（フッ素・塩素）の混合ガスに放電を加え、そのときだけ一時的にできる分子（エキシマ：excited dimer）から紫外線を取り出すガスレーザーです。

レーザアニール（Laser Annealing）は、レーザ光でウェハ表面を極めて短時間だけ高温に加熱し、イオン注入で導入したドーパントの活性化や結晶欠陥の回復を行う熱処理技術です。

InP（インジウムリン、リン化インジウム）とは、インジウム（In）とリン（P）からなるIII-V族化合物半導体です。

RF半導体（Radio Frequency Semiconductor：高周波半導体）は、無線通信（スマートフォン・5G/6G基地局・Wi-Fi・衛星通信・レーダー）で使用されるGHz帯〜THz帯の高周波信号を増幅・送受信・処理する半導体デバイスの総称です。

HEMT（高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor）とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス（2DEG）を利用した高速FETです。

SiGe（シリコンゲルマニウム）とは、シリコンとゲルマニウムを混ぜ合わせた結晶の半導体材料です。