デバイス・プロセスの学会・国際会議

GAA（Gate-All-Around）は、トランジスタのゲート電極がチャネル（電流路）を四方向（全周）から包囲する立体的なトランジスタ構造です。

CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、NチャネルFET（NFET）とPチャネルFET（PFET）を垂直方向に積層した3次元トランジスタ構造です。

BSPD（Backside Power Delivery Network）は、半導体チップのウェハ裏面（バックサイド）から電源・グラウンド配線を供給する技術です。

EUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ（露光）分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

プラズマエッチング（Plasma Etching）は、真空チャンバー内でプラズマを生成し、そのプラズマ中の活性種（ラジカル・イオン）によってウェハ表面の材料を除去するエッチング手法の総称です。

ALD（Atomic Layer Deposition／原子層堆積）は、自己制限的な表面反応を利用して薄膜を少しずつ積み上げる成膜技術です。

CMP（Chemical Mechanical Polishing／化学機械研磨）は、研磨剤（スラリー）と研磨パッドを用いて、ウェハ表面を化学的作用と機械的作用の組み合わせでナノメートルレベルまで平坦化するプロセスです。

歩留まり（Yield）は、半導体の製造プロセスにおいて、ウェハ1枚当たりの全ダイ（チップ）数に対する良品ダイ数の割合（百分率）を表す指標です。

GaN（窒化ガリウム、Gallium Nitride）は、ガリウム（Ga）と窒素（N）で構成されるIII-V族化合物半導体です。

HEMT（高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor）とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス（2DEG）を利用した高速FETです。

MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition／有機金属化学気相成長）は、有機金属化合物（トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、ジメチルヒドラジンなど）と水素化物（NH₃、AsH₃、PH₃など）を原料ガスとして使用し、基板（ウェハ）上にIII-V族化合物半導体（GaN・GaAs・InP・AlGaInPなど）の高品質なエピタキシャル薄膜を成長させるCVD技術の一種です。

ワイドバンドギャップ半導体（WBG）とは、シリコン（Si、約1.1eV）よりも大きなバンドギャップを持つ半導体材料の総称です。

ASIC（Application-Specific Integrated Circuit）は、特定の用途・アプリケーションに特化して設計・製造された集積回路です。

SoC（System on Chip）は、コンピュータシステムを構成する複数の機能ブロック（CPU・GPU・メモリコントローラ・通信回路・AI演算ユニットなど）を1枚のシリコンチップ上に高密度に集積した半導体デバイスです。

DVFS（Dynamic Voltage and Frequency Scaling：動的電圧・周波数制御）とは、チップの処理の負荷に応じて、動作の周波数（クロックの速さ）と電源の電圧を、動作しながらこまめに切り替えて、消費電力を下げる技術です。

CMOSインバータとは、p型MOSFET（pMOS）とn型MOSFET（nMOS）を1個ずつ相補的に組み合わせた、入力の論理を反転して出力する最も基本的な論理ゲートです。

High-kゲート誘電体（High-k Gate Dielectric）は、従来のシリコン酸化膜（SiO₂、比誘電率k≈3.9）に代わり、より高い誘電率（k>10）を持つ材料をゲート絶縁膜として使用する技術です。

ゲート酸化膜（ゲートさんかまく）とは、MOSFETのゲート電極とチャネル（半導体）の間に挟まれた絶縁膜のことです。

強誘電体ハフニウム酸化物（Ferroelectric Hafnium Oxide）とは、酸化ハフニウム（HfO₂）に酸化ジルコニウム（ZrO₂）などをドープすることで生じる強誘電性を持つ薄膜材料で、一般にHZO（Hafnium Zirconium Oxide）と呼ばれます。

3D NAND（3D NAND Flash）は、フラッシュメモリセル（NAND型）を平面ではなく垂直方向（Z軸方向）に多層積層した構造のNAND型フラッシュメモリです。

量子井戸とは、バンドギャップの小さい半導体の薄い層を、バンドギャップの大きい半導体の層で上下から挟んだ構造です。

ホール効果とは、電流を流している導体や半導体に、電流と垂直な方向から磁場をかけたときに、電流と磁場の両方に垂直な方向へ電圧が現れる現象です。

2D材料（Two-Dimensional Materials：二次元材料）とは、原子1層または数層からなるシート状の結晶材料の総称です。

SiC（炭化ケイ素、Silicon Carbide）は、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されるIV-IV族化合物半導体で、ワイドバンドギャップ（4H-SiCで3.26eV）・高い絶縁破壊電界（約3MV/cm）・高い熱伝導率（約5W/cm·K）・高い電子飽和速度を持つ優れたパワー半導体材料です。

RF半導体（Radio Frequency Semiconductor：高周波半導体）は、無線通信（スマートフォン・5G/6G基地局・Wi-Fi・衛星通信・レーダー）で使用されるGHz帯〜THz帯の高周波信号を増幅・送受信・処理する半導体デバイスの総称です。

SiGe（シリコンゲルマニウム）とは、シリコンとゲルマニウムを混ぜ合わせた結晶の半導体材料です。

InP（インジウムリン、リン化インジウム）とは、インジウム（In）とリン（P）からなるIII-V族化合物半導体です。

化合物半導体とは、周期表の2種類以上の元素を組み合わせて作られた半導体材料の総称です。

GaAs（ガリウムヒ素、ヒ化ガリウム）とは、ガリウム（Ga）とヒ素（As）からなる13-15族（III-V族）化合物半導体です。

SRAM（Static Random-Access Memory：静的RAM）とは、フリップフロップ回路（6つのトランジスタで1ビットを記憶するSRAMセル）によりデータを保持する揮発性メモリです。

ALE（Atomic Layer Etching：原子層エッチング）は、エッチングを原子層1層単位で自己制御的に行う技術です。

原子層エッチング（ALE：Atomic Layer Etching）とは、表面の原子を1原子層ずつ精密に除去するエッチング技術です。

ALD装置（Atomic Layer Deposition Equipment）は、原子層堆積（ALD）を量産ラインで実行するための成膜装置です。

アナログ回路とは、電圧や電流を連続的に変化する量として扱う回路のことです。

グラフェンとは、炭素原子が蜂の巣状（六角形格子）に並んだ原子1層分の厚さしかない2次元材料で、2004年に発見されました。

酸化ガリウム（Ga2O3）とは、ガリウムと酸素からなる化合物半導体で、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）よりさらに大きいバンドギャップ（約4.8〜4.9eV）を持つ次世代のパワー半導体材料です。

ダイヤモンド半導体とは、炭素原子がダイヤモンド構造で結合した結晶を、半導体として使う研究段階の材料です。

MBE（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシー）とは、超高真空の容器の中で、ガリウムやヒ素などの原料を加熱して原子や分子の流れ（分子線）にして基板に吹き付け、基板の結晶の並びにそろえて薄い単結晶の膜を1原子層ずつ成長させる方法です。

エピタキシー（Epitaxy）とは、結晶基板の上に、基板と同じ結晶構造・格子定数を持つ薄い単結晶薄膜（エピタキシャル層）を気相または液相から成長させる技術です。

真空（Vacuum）とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間の状態のことです。

SEM（Scanning Electron Microscope／走査電子顕微鏡）は、電子ビームを試料表面に走査照射し、放出される二次電子・反射電子を検出することで試料表面の形状・組成を高分解能で観察・分析する電子顕微鏡です。

FinFETとは、チャネル部分を薄い「フィン（ひれ）」状の突起として立体的に形成し、ゲート電極が三方向からチャネルを囲む立体型トランジスタ構造です。

イオン注入（Ion Implantation）は、不純物元素（ドーパント）をイオン化してウェハに高エネルギーで照射し、シリコン結晶内の特定の深さにドーパントを導入するプロセスです。

レーザアニール（Laser Annealing）は、レーザ光でウェハ表面を極めて短時間だけ高温に加熱し、イオン注入で導入したドーパントの活性化や結晶欠陥の回復を行う熱処理技術です。

コンタクト抵抗（Contact Resistance）は、金属配線と半導体（ソース・ドレインのシリコン）が接触する界面で生じる電気抵抗です。