リソグラフィ・配線・量産の学会・国際会議

EUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）とは、波長13.5nmの極短波長光を指し、半導体リソグラフィ（露光）分野において7nm以下の超微細回路パターンを形成するための光源技術として不可欠な存在となっています。

フォトレジストは、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用される感光性樹脂材料です。

プラズマ（Plasma）とは、気体が高エネルギー状態に達して電子と陽イオンに電離した「物質の第4の状態」であり、半導体製造においてエッチング・成膜・クリーニング・表面改質など多くの工程の基盤技術となっています。

プラズマエッチング（Plasma Etching）は、真空チャンバー内でプラズマを生成し、そのプラズマ中の活性種（ラジカル・イオン）によってウェハ表面の材料を除去するエッチング手法の総称です。

ICP（Inductively Coupled Plasma：誘導結合プラズマ）とは、コイル状のアンテナに高周波（RF）電力を印加することで磁場を誘導し、チャンバー内のガスを電離してプラズマを生成する方式です。

CCP（Capacitively Coupled Plasma：容量結合プラズマ）とは、平行平板状の上下2枚の電極間に高周波（RF）電力を印加し、電極間の電界でガスを電離してプラズマを生成する方式です。

CVD（Chemical Vapor Deposition／化学気相成長）は、原料となる化学物質（前駆体ガス）をチャンバー内に導入し、熱・プラズマ・光などのエネルギーで化学反応を起こすことでウェハ表面に薄膜を堆積させる成膜技術の総称です。

PVD（Physical Vapor Deposition／物理気相成長）は、蒸発・スパッタリングなどの物理的プロセスによって固体材料を気化し、ウェハ表面に薄膜を堆積させる成膜技術の総称です。

ALD（Atomic Layer Deposition／原子層堆積）は、自己制限的な表面反応を利用して薄膜を少しずつ積み上げる成膜技術です。

スパッタリング（Sputtering）は、物理気相成長（PVD）の代表的手法の一つです。

エピタキシー（Epitaxy）とは、結晶基板の上に、基板と同じ結晶構造・格子定数を持つ薄い単結晶薄膜（エピタキシャル層）を気相または液相から成長させる技術です。

電子ビーム描画装置（E-Beam Mask Writer）は、フォトマスク製造において、電子ビームをマスクブランク上に精密に照射・走査することでパターンを直接描画する装置です。

ナノインプリントリソグラフィ（NIL：Nano-Imprint Lithography）は、ナノ構造を刻んだスタンプ（テンプレート）を樹脂（レジスト）に物理的に押し付け、パターンを転写するリソグラフィ技術です。

EUV確率論的効果（Stochastic Effects）は、EUVリソグラフィ特有の現象で、光子数の統計的揺らぎ・レジスト内の化学反応のランダム性・露光スポットの確率論的ばらつきに起因する、ウェハ上のパターン寸法・形状・欠陥の予測不能なばらつきです。

歩留まり（Yield）は、半導体の製造プロセスにおいて、ウェハ1枚当たりの全ダイ（チップ）数に対する良品ダイ数の割合（百分率）を表す指標です。

歩留まり管理（Yield Management）は、半導体製造において歩留まり（Yield）の向上を目的に、欠陥データ・プロセスデータ・テストデータを統合的に収集・解析し、歩留まり損失の原因を特定・排除するための組織的な管理プロセスです。

パーティクル汚染とは、微粒子がウェハ表面に付着してデバイスの欠陥を引き起こす現象、およびその管理領域を指します。

High-NA EUV露光（High Numerical Aperture EUV Lithography）は、開口数（NA：Numerical Aperture）を従来のEUV装置の0.33から0.55に拡大した次世代EUV露光技術です。

EUVレジスト（EUV Resist）は、EUV（極端紫外線）露光装置を使った半導体リソグラフィ工程において、波長13.5nmのEUV光に感応して化学的変化を起こすフォトレジスト材料です。

ALE（Atomic Layer Etching：原子層エッチング）は、エッチングを原子層1層単位で自己制御的に行う技術です。

メタルオキサイドレジスト（MOR：Metal Oxide Resist）とは、スズなどの金属の酸化物を主成分とする、EUV露光向けの新しいタイプのフォトレジストです。

化学増幅型レジスト（CAR：Chemically Amplified Resist）とは、光が当たると酸を出す物質（光酸発生剤：PAG）を含み、その酸が触媒となって、周りの樹脂の化学反応を次々に引き起こすタイプのフォトレジストです。

計測装置（Metrology Equipment）は、半導体ウェハ上の回路パターンや薄膜の物理的・電気的パラメータを精密に測定する装置の総称です。

オーバーレイ計測は、半導体製造における多層配線構造において、各層のパターンがどれだけ正確に重なっているかを測定する計測工程です。

OCD（Optical Critical Dimension：光学的臨界寸法計測）は、回折格子状のパターン（スキャトロメトリーターゲット）に光を照射し、回折スペクトルの角度・波長依存性を解析してパターンの3次元形状（CD・側壁角度・フィルム厚）を非破壊で計測する手法です。

CMP（Chemical Mechanical Polishing／化学機械研磨）は、研磨剤（スラリー）と研磨パッドを用いて、ウェハ表面を化学的作用と機械的作用の組み合わせでナノメートルレベルまで平坦化するプロセスです。

レーザーダイシングは、半導体ウェハを個々のチップ（ダイ）に切断する際に、ダイヤモンドブレードソーに代わりレーザー光を使用するダイシング技術です。

表面ラフネス散乱とは、MOSトランジスタのチャネルを流れる電子や正孔が、シリコンとゲート絶縁膜の界面の原子レベルの凹凸（ラフネス）にぶつかって散乱され、移動度が下がる現象です。

フォトマスク（Photomask）は、半導体製造のリソグラフィ工程において、ICの回路パターンを光学的にウェハ上のフォトレジストに転写するための「版下」となる基板です。

ペリクル（Pellicle）とは、フォトマスク（レチクル）の表面をパーティクル（微細粒子）から保護するために貼付する薄い透明膜（メンブレン）とその支持フレームから構成される保護部品です。

化合物半導体とは、周期表の2種類以上の元素を組み合わせて作られた半導体材料の総称です。

GaN（窒化ガリウム、Gallium Nitride）は、ガリウム（Ga）と窒素（N）で構成されるIII-V族化合物半導体です。

GaAs（ガリウムヒ素、ヒ化ガリウム）とは、ガリウム（Ga）とヒ素（As）からなる13-15族（III-V族）化合物半導体です。

InP（インジウムリン、リン化インジウム）とは、インジウム（In）とリン（P）からなるIII-V族化合物半導体です。

HEMT（高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor）とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス（2DEG）を利用した高速FETです。

APC（Advanced Process Control：先進プロセス制御）は、半導体製造ラインにおいて計測データをリアルタイムにフィードバック・フィードフォワードし、各工程の装置パラメータを自動補正することで、プロセスのばらつきを最小化し歩留まりを向上させる制御システムの総称です。

原子層エッチング（ALE：Atomic Layer Etching）とは、表面の原子を1原子層ずつ精密に除去するエッチング技術です。

ALD装置（Atomic Layer Deposition Equipment）は、原子層堆積（ALD）を量産ラインで実行するための成膜装置です。

Low-k絶縁膜（Low-k Dielectric、低誘電率材料）は、多層配線の層間絶縁膜（ILD：Inter-Layer Dielectric）に使用される、低い誘電率（k<3.9）を持つ材料の総称です。

エレクトロマイグレーション（Electromigration：EM）は、半導体チップの金属配線（主に銅）に高密度の電流が流れる際、電子の運動量移乗により金属原子が電流の流れる方向へ移動する現象です。

ECD（Electrochemical Deposition：電気化学堆積、電解めっき）は、めっき液中でウェハを陰極として電流を流し、金属イオンを還元析出させて金属膜を形成する成膜技術です。

裏面配線技術（Backside Interconnect）とは、半導体チップのシリコン基板裏面（バックサイド）に金属配線を形成する技術の総称です。

酸化膜CMPとは、SiO₂系の絶縁膜を研磨対象とするCMP工程です。

ハイブリッドボンディング（Hybrid Bonding）とは、半導体チップやウェーハを接合する際に、銅（Cu）の金属パッドと酸化シリコン（SiO₂）誘電体を同時に直接接合する技術であり、バンプ（はんだ突起）を使用しない超微細ピッチの三次元積層を実現する先進パッケージング技術である。