パッケージ・実装の学会・国際会議

チップレット（Chiplet）は、複数の機能ブロック（ダイ）を単一の大型チップとして製造するのではなく、それぞれを個別の小型チップ（チップレット）として製造し、先進パッケージング技術を用いて基板やインターポーザ上に2.5Dまたは3D方式で集積する設計・製造アーキテクチャです。

ハイブリッドボンディング（Hybrid Bonding）とは、半導体チップやウェーハを接合する際に、銅（Cu）の金属パッドと酸化シリコン（SiO₂）誘電体を同時に直接接合する技術であり、バンプ（はんだ突起）を使用しない超微細ピッチの三次元積層を実現する先進パッケージング技術である。

TSV（Through-Silicon Via／シリコン貫通電極）は、シリコンウェハまたはダイを垂直方向に貫通する導電性ビア（穴に金属を充填した電極）を形成し、積層した複数のダイを最短距離で電気的に接続する技術です。

インターポーザー（Interposer）は、複数のチップ（ダイ）を横並びに搭載するための中間基板で、チップ間の配線を高密度・短距離で結ぶ役割を担います。

フリップチップ（Flip Chip）は、半導体チップの回路形成面（アクティブ面）を下向きにして基板に直接実装する接続技術です。

TDDB（Time-Dependent Dielectric Breakdown：経時的絶縁破壊）は、ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜やHigh-k膜）に電界をかけ続けると、ある時間が経過した後に突然絶縁性を失い破壊に至る信頼性劣化現象です。

NBTI（Negative Bias Temperature Instability：負バイアス温度不安定性）は、pMOSFETに負のゲート電圧を高温で印加し続けると、しきい値電圧（Vth）が時間とともに上昇し、駆動能力が低下していく信頼性劣化現象です。

ホットキャリア注入（HCI：Hot Carrier Injection）は、トランジスタのドレイン近傍の強い電界で加速された高エネルギーのキャリア（ホットキャリア）が、ゲート絶縁膜に飛び込んで界面準位やトラップを生成し、デバイス特性を経時的に劣化させる信頼性現象です。

エレクトロマイグレーション（Electromigration：EM）は、半導体チップの金属配線（主に銅）に高密度の電流が流れる際、電子の運動量移乗により金属原子が電流の流れる方向へ移動する現象です。

TIM（Thermal Interface Material：熱界面材料）とは、チップと放熱板（ヒートスプレッダ）、放熱板とヒートシンクのように、熱を逃がすための2つの部品の間に挟んで、熱の通りをよくする材料です。

サーマルビアとは、プリント基板やパッケージ基板で、熱を逃がすためだけに設ける、銅でめっきした穴（ビア）のことです。

アンダーフィル（Underfill）は、フリップチップ実装においてダイとパッケージ基板（またはダイ同士）の隙間に充填する樹脂材料で、はんだバンプ接合部を機械的に補強し、信頼性を高める役割を担います。

CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）は、TSMCが開発・提供する2.5D先進パッケージング技術です。