材料・物性の学会・国際会議

2D材料（Two-Dimensional Materials：二次元材料）とは、原子1層または数層からなるシート状の結晶材料の総称です。

エピタキシー（Epitaxy）とは、結晶基板の上に、基板と同じ結晶構造・格子定数を持つ薄い単結晶薄膜（エピタキシャル層）を気相または液相から成長させる技術です。

点欠陥とは、結晶中の原子1個（またはごく少数）の位置に生じる乱れのことです。

ECD（Electrochemical Deposition：電気化学堆積、電解めっき）は、めっき液中でウェハを陰極として電流を流し、金属イオンを還元析出させて金属膜を形成する成膜技術です。

めっき添加剤とは、銅の電解めっきの液（めっき浴）にごく少量加える有機物で、銅が溝や穴の底から先に埋まっていくように析出の速さを場所ごとに調整するものです。

CMP（Chemical Mechanical Polishing／化学機械研磨）は、研磨剤（スラリー）と研磨パッドを用いて、ウェハ表面を化学的作用と機械的作用の組み合わせでナノメートルレベルまで平坦化するプロセスです。

フォトレジストは、半導体製造のフォトリソグラフィ工程で使用される感光性樹脂材料です。

化学増幅型レジスト（CAR：Chemically Amplified Resist）とは、光が当たると酸を出す物質（光酸発生剤：PAG）を含み、その酸が触媒となって、周りの樹脂の化学反応を次々に引き起こすタイプのフォトレジストです。

有機半導体とは、炭素を主体とする有機化合物（高分子や低分子）でありながら半導体の性質を示す材料です。

プラズマ（Plasma）とは、気体が高エネルギー状態に達して電子と陽イオンに電離した「物質の第4の状態」であり、半導体製造においてエッチング・成膜・クリーニング・表面改質など多くの工程の基盤技術となっています。

プラズマエッチング（Plasma Etching）は、真空チャンバー内でプラズマを生成し、そのプラズマ中の活性種（ラジカル・イオン）によってウェハ表面の材料を除去するエッチング手法の総称です。

ICP（Inductively Coupled Plasma：誘導結合プラズマ）とは、コイル状のアンテナに高周波（RF）電力を印加することで磁場を誘導し、チャンバー内のガスを電離してプラズマを生成する方式です。

CCP（Capacitively Coupled Plasma：容量結合プラズマ）とは、平行平板状の上下2枚の電極間に高周波（RF）電力を印加し、電極間の電界でガスを電離してプラズマを生成する方式です。

MRAM（Magnetoresistive Random-Access Memory：磁気抵抗メモリ）とは、磁性体の磁化方向によりデータを記憶する不揮発性メモリです。

磁気センサーとは、磁界の強さや向きを電気信号に変える素子です。

ホール効果とは、電流を流している導体や半導体に、電流と垂直な方向から磁場をかけたときに、電流と磁場の両方に垂直な方向へ電圧が現れる現象です。

量子井戸とは、バンドギャップの小さい半導体の薄い層を、バンドギャップの大きい半導体の層で上下から挟んだ構造です。

CVD（Chemical Vapor Deposition／化学気相成長）は、原料となる化学物質（前駆体ガス）をチャンバー内に導入し、熱・プラズマ・光などのエネルギーで化学反応を起こすことでウェハ表面に薄膜を堆積させる成膜技術の総称です。

PVD（Physical Vapor Deposition／物理気相成長）は、蒸発・スパッタリングなどの物理的プロセスによって固体材料を気化し、ウェハ表面に薄膜を堆積させる成膜技術の総称です。

ALD（Atomic Layer Deposition／原子層堆積）は、自己制限的な表面反応を利用して薄膜を少しずつ積み上げる成膜技術です。

スパッタリング（Sputtering）は、物理気相成長（PVD）の代表的手法の一つです。

太陽電池（太陽光発電素子）とは、pn接合に光が当たると電子と正孔が生成され、電位差（光起電力効果）が生じて電力を取り出せる半導体デバイスです。

光起電力効果（Photovoltaic Effect）とは、物質に光を当てると電圧（起電力）が生じる現象です。

High-kゲート誘電体（High-k Gate Dielectric）は、従来のシリコン酸化膜（SiO₂、比誘電率k≈3.9）に代わり、より高い誘電率（k>10）を持つ材料をゲート絶縁膜として使用する技術です。

圧電効果とは、ある種の結晶に力を加えると電圧が現れ、逆に電圧をかけると変形する性質のことです。

強誘電体ハフニウム酸化物（Ferroelectric Hafnium Oxide）とは、酸化ハフニウム（HfO₂）に酸化ジルコニウム（ZrO₂）などをドープすることで生じる強誘電性を持つ薄膜材料で、一般にHZO（Hafnium Zirconium Oxide）と呼ばれます。

シリコン量子ビット（スピン量子ビット）とは、シリコンの中に閉じ込めた1個の電子（または正孔）が持つ「スピン」という性質の向きを、量子コンピュータの情報の単位（量子ビット）として使う方式です。

グラフェンとは、炭素原子が蜂の巣状（六角形格子）に並んだ原子1層分の厚さしかない2次元材料で、2004年に発見されました。

酸化ガリウム（Ga2O3）とは、ガリウムと酸素からなる化合物半導体で、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）よりさらに大きいバンドギャップ（約4.8〜4.9eV）を持つ次世代のパワー半導体材料です。

ダイヤモンド半導体とは、炭素原子がダイヤモンド構造で結合した結晶を、半導体として使う研究段階の材料です。

XPS（X-ray Photoelectron Spectroscopy：X線光電子分光法）とは、試料の表面にX線を当て、飛び出してくる電子（光電子）のエネルギーを測ることで、表面にどの元素があり、それがどのような化学状態（どの原子と結合しているか）にあるかを調べる分析方法です。

AFM（Atomic Force Microscopy：原子間力顕微鏡）は、先端を尖らせた微小な探針（プローブ）で試料表面をなぞり、探針と表面の間に働く原子間力を検出して、ナノメートル分解能の三次元的な凹凸（表面形状）を測定する装置です。

SIMS（Secondary Ion Mass Spectrometry：二次イオン質量分析）は、一次イオンビームをウェハ表面に照射してスパッタし、叩き出された二次イオンを質量分析することで、元素組成や深さ方向の不純物濃度プロファイルを測定する分析手法です。

SEM（Scanning Electron Microscope／走査電子顕微鏡）は、電子ビームを試料表面に走査照射し、放出される二次電子・反射電子を検出することで試料表面の形状・組成を高分解能で観察・分析する電子顕微鏡です。

鉛フリーはんだとは、鉛（Pb）を含まないはんだのことです。

はんだボールとは、BGA（ボールグリッドアレイ）やCSPなどのパッケージの裏面に格子状に並べて取り付ける、球状の小さなはんだのことです。

エレクトロマイグレーション（Electromigration：EM）は、半導体チップの金属配線（主に銅）に高密度の電流が流れる際、電子の運動量移乗により金属原子が電流の流れる方向へ移動する現象です。

アンダーフィル（Underfill）は、フリップチップ実装においてダイとパッケージ基板（またはダイ同士）の隙間に充填する樹脂材料で、はんだバンプ接合部を機械的に補強し、信頼性を高める役割を担います。

欠陥（ディフェクト、defect）とは、半導体の材料やウェハ、回路パターンに生じる、本来あるべき状態からのずれの総称です。

深い準位（Deep Level）とは、半導体のバンドギャップの中で、伝導帯の底や価電子帯の頂上から大きく離れた、ギャップの中央寄りの位置にできるエネルギー準位のことです。

カーボンナノチューブ（CNT）とは、炭素原子の六角形格子（グラフェン）を筒状に丸めた直径ナノメートルオーダーの円筒状材料です。

化合物半導体とは、周期表の2種類以上の元素を組み合わせて作られた半導体材料の総称です。

GaAs（ガリウムヒ素、ヒ化ガリウム）とは、ガリウム（Ga）とヒ素（As）からなる13-15族（III-V族）化合物半導体です。

InP（インジウムリン、リン化インジウム）とは、インジウム（In）とリン（P）からなるIII-V族化合物半導体です。

MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition／有機金属化学気相成長）は、有機金属化合物（トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、ジメチルヒドラジンなど）と水素化物（NH₃、AsH₃、PH₃など）を原料ガスとして使用し、基板（ウェハ）上にIII-V族化合物半導体（GaN・GaAs・InP・AlGaInPなど）の高品質なエピタキシャル薄膜を成長させるCVD技術の一種です。

TEM（Transmission Electron Microscopy：透過型電子顕微鏡）は、薄く加工した試料に電子線を透過させ、その透過・回折像から原子レベルの分解能で内部構造を観察する分析装置です。

液晶ディスプレー（LCD、Liquid Crystal Display）とは、電圧で配列が変わる液晶分子の性質を利用して、バックライトの光の透過を画素ごとに制御し映像を表示するディスプレイです。

IGZOとは、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）、酸素（O）からなる酸化物の半導体材料です。

MBE（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシー）とは、超高真空の容器の中で、ガリウムやヒ素などの原料を加熱して原子や分子の流れ（分子線）にして基板に吹き付け、基板の結晶の並びにそろえて薄い単結晶の膜を1原子層ずつ成長させる方法です。

ゲート酸化膜（ゲートさんかまく）とは、MOSFETのゲート電極とチャネル（半導体）の間に挟まれた絶縁膜のことです。