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ASML／EUV露光装置

TWINSCAN NXE:3800E

NXE:3600D の後継の EUV 露光装置。2nm ロジックと先端 DRAM の量産を支え、生産性を大きく高めた。

TWINSCAN NXE:3800Eとは

TWINSCAN NXE:3800E は、ASML のデュアルステージの EUV 露光装置で、NXE:3600D の後継機です。2nm のロジックノードと先端の DRAM ノードの量産を支えます。

イメージングと重ね合わせの改善に加え、生産性を大きく高めました。2nm ロジックと先端 DRAM の量産をコスト効率よく支えるよう設計され、そのパターニング能力は同社の液浸露光装置を補完します。

生産性向上の鍵は新しい下部モジュールです。0.55 NA の EXE プラットフォームと共通のこのモジュールには、新しいウェーハハンドラ、より速いウェーハステージなど、スループットを高めるための部品が含まれています。光源の出力も高めています。

主な特長

  • •NXE:3600D の後継
  • •EXE と共通の新しい下部モジュール
  • •生産性を大きく向上

主な仕様

光源EUV（13.5nm）
投影光学系NA 0.33
主要用途2nm ロジック・先端 DRAM の量産

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目ASMLTWINSCAN NXE:3600DASMLTWINSCAN EXE:5000ASMLTWINSCAN EXE:5200BASMLTWINSCAN NXE:3800EASMLTWINSCAN NXE:3400C
光源EUV 13.5 nm（スズプラズマ）EUV（13.5nm）EUV（13.5nm・改良光源）EUV（13.5nm）EUV（13.5nm）
投影光学系—NA 0.55（High-NA）NA 0.55（High-NA）NA 0.33—
主要用途5nm・3nm ロジック、先端 DRAM の量産——2nm ロジック・先端 DRAM の量産—
解像度—8 nm8 nm（NXE 比イメージングコントラスト 40% 向上）——
1機種だけが掲載している項目（5件）
開口数（NA）0.33————
最大露光フィールド26 × 33 mm————
対応ウェハ径300 mm————
スループット————毎時 170 枚以上（300mm）
対象ノード————7nm・5nm

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •2nm ロジック
  • •先端 DRAM

掲載カテゴリ

TWINSCAN NXE:3800Eは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

EUV露光装置

EUV露光装置（Extreme Ultraviolet Lithography）は、波長13.5nmの極端紫外線を使用してウェハ上に超微細回路パターンを転写する露光装置です。

メーカー 2 社

メーカー

ASML

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

ASML の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

EUV露光装置のほかの製品

TWINSCAN NXE:3600D（ASML）TWINSCAN EXE:5000（ASML）TWINSCAN EXE:5200B（ASML）TWINSCAN NXE:3400C（ASML）

ASMLのほかの製品

TWINSCAN NXE:3600D（EUV露光装置）TWINSCAN NXT:2100i（DUV露光装置）TWINSCAN EXE:5000（EUV露光装置）TWINSCAN EXE:5200B（EUV露光装置）TWINSCAN NXE:3400C（EUV露光装置）TWINSCAN NXT:2150i（DUV露光装置）TWINSCAN NXT:2050i（DUV露光装置）TWINSCAN NXT:2000i（DUV露光装置）TWINSCAN NXT:1980Fi（DUV露光装置）TWINSCAN NXT:1470（DUV露光装置）TWINSCAN XT:1460K（DUV露光装置）TWINSCAN XT:1060K（DUV露光装置）TWINSCAN NXT:870B（DUV露光装置）TWINSCAN NXT:870（DUV露光装置）TWINSCAN XT:860N（DUV露光装置）TWINSCAN XT:860M（DUV露光装置）TWINSCAN XT:400M（i線ステッパー）TWINSCAN XT:260（i線ステッパー）YieldStar 1390（オーバーレイ計測装置）YieldStar 1385（オーバーレイ計測装置）YieldStar 500（オーバーレイ計測装置）HMI eScan 1100（電子線（EB）検査装置）HMI eScan 600（電子線（EB）検査装置）HMI eP5（電子線（EB）検査装置）

関連用語

EUV（極紫外線）とは→EUV露光とは→
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07
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