ASML/オーバーレイ計測装置

YieldStar 1390

エッチング後の工程監視向けの単体光学計測装置。YieldStar 1385 の後継で、デバイス上の重ね合わせ・傾き・CD を測る。

YieldStar 1390とは

YieldStar 1390 は、ASML の単体の光学計測装置で、YieldStar 1385 の後継機です。エッチング後の工程監視でスループットを高めました。

デバイス上の重ね合わせ(インデバイスオーバーレイ)をナノメートル級の精度で速く正確に測れます。エッチング後の計測で、デバイス構造の上で直接重ね合わせを監視でき、走査電子顕微鏡(SEM)による方法より速いため、コストを抑えつつ重ね合わせ性能と歩留まりを高めます。

新しい高強度の光源でスループットと精度を高めました。機械学習アルゴリズムと信号処理の進化で、エッチング後の計測の用途をデバイス上の傾きや CD にも広げています。

主な特長

  • •エッチング後のデバイス上計測
  • •SEM より高速
  • •傾き・CD にも対応

主な仕様

方式光学計測(エッチング後)
測定項目デバイス上の重ね合わせ・傾き・CD
特徴高強度光源・機械学習アルゴリズム

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目KLAArcher™ 750KLAATL100™KLAArcher™ PowerASMLYieldStar 1390ASMLYieldStar 1385ASMLYieldStar 500Onto InnovationIVS 380Onto InnovationIVS 280ニコン(Nikon)Litho Booster
方式—スキャトロメトリ重ね合わせ計測(波長可変レーザー・分解能 1nm)イメージング重ね合わせ・CD 計測光学計測(エッチング後)光学計測(エッチング後)回折ベースの光学計測(エッチング前)光学式の重ね合わせ・CD・Z 高さ計測——
特徴波長可変光源リアルタイム Homing・ダイ内/小ピッチターゲット対応—高強度光源・機械学習アルゴリズム複数層の同時計測・高いサンプリング密度TWINSCAN ステージ技術・新センサー———
対応基板——Si・SiC・GaN・GaAs・ガラス・サファイアなど———200mm(SMIF)・300mm(FOUP)、Si・ガラス・CCLSi・SiC・石英・ガラス・GaAs・GaN・LiNbO₃—
対応ウェハ径——150/200/300 mm・ブリッジ構成————100〜200 mm—
測定項目———デバイス上の重ね合わせ・傾き・CD—重ね合わせ・フォーカス———
1機種だけが掲載している項目(10件)
測定方式イメージングベース・オーバーレイ計測————————
対象世代7nm 以下ロジック・先端メモリ————————
関連機種Archer 800(後継)・ATL100(散乱計測方式)————————
対象ノード—7nm 以下———————
測定対象————デバイス上の特徴・専用の小型ターゲット————
主要用途——————RDL 配線・ポスト・バンプの計測——
信頼性———————MTBF 2,000 時間超—
計測————————露光前の全ウェハ・全ショットのグリッド歪み
補正————————露光装置へのフィードフォワード
組み合わせ————————液浸スキャナー・ドライスキャナー

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •エッチング後の重ね合わせ監視

掲載カテゴリ

YieldStar 1390は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

ASML

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

ASML の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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