ASML/DUV露光装置

TWINSCAN XT:1460K

65nm の解像度で 300mm ウェーハを量産する高生産性のドライ ArF 露光装置。

TWINSCAN XT:1460Kとは

TWINSCAN XT:1460K は、ASML の 193nm ステップ・アンド・スキャン露光装置です。65nm の解像度で 300mm ウェーハを量産するために設計された、高生産性のデュアルステージの ArF 露光装置です。

可変 NA 0.93 の 193nm 投影レンズと高度なレンズマニピュレータを搭載しています。

TWINSCAN プラットフォームのデュアルウェーハステージで、1 枚の露光と次のウェーハのアライメントを並行して行い、待ち時間をほぼなくして連続でパターンを描きます。優れた CD 均一性、業界をリードする重ね合わせ、長期の性能安定性を持ちます。標準で 45W の ArF レーザを搭載しています。

主な特長

  • •可変 NA 0.93
  • •デュアルウェーハステージ
  • •65nm 解像度

主な仕様

光源ArF ドライ(193nm・45W レーザ)
投影光学系可変 NA 0.93
解像度65 nm

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目ASMLTWINSCAN NXT:2100iASMLTWINSCAN NXT:2150iASMLTWINSCAN NXT:2050iASMLTWINSCAN NXT:2000iASMLTWINSCAN NXT:1980FiASMLTWINSCAN NXT:1470ASMLTWINSCAN XT:1460KASMLTWINSCAN XT:1060KASMLTWINSCAN NXT:870BASMLTWINSCAN NXT:870ASMLTWINSCAN XT:860NASMLTWINSCAN XT:860Mニコン(Nikon)NSR-S635Eニコン(Nikon)NSR-S636Eニコン(Nikon)NSR-S625Eニコン(Nikon)NSR-S333Fニコン(Nikon)NSR-S322Fニコン(Nikon)NSR-S220Dニコン(Nikon)NSR-S215Dキヤノン(Canon)FPA-3030EX6キヤノン(Canon)FPA-6300ES6aキヤノン(Canon)FPA-6300ESW
光源ArF 液浸(193 nm)ArF 液浸(193nm)ArF 液浸(193nm)ArF 液浸(193nm)ArF 液浸(193nm)ArF ドライ(193nm)ArF ドライ(193nm・45W レーザ)KrF(248nm・40W レーザ)KrF ドライ(248nm)KrF(248nm・40/60W レーザ)KrF(248nm・40/50/60W レーザ)KrF(248nm・40W レーザ)ArF 液浸(193 nm)——————KrF(248 nm)——
スループット—————毎時 300 枚超——毎時 400 枚(300mm)毎時 330 枚(300mm)毎時 260 枚(300mm)・275 枚(200mm)—275 枚/時 以上(96 ショット)毎時 280 枚以上(96 ショット)毎時 280 枚以上(96 ショット)毎時 300 枚以上(96 ショット)毎時 230 枚以上(オプションで 250 枚以上)毎時 230 枚以上(96 ショット)毎時 330 枚以上(200mm・46 ショット)/200 枚以上(300mm・96 ショット)121 枚/時 以上——
重ね合わせ精度単体機 0.9 nm・機間 1.3 nm(前機種比 10%/13% 改善)———————————MMO 2.1 nm 以下MMO 2.1nm 以下MMO 2.5nm 以下MMO 4nm 以下MMO 5nm 以下MMO 6nm 以下—25 nm 以下5nm 以下(オプション適用時)9nm 以下
解像度————38 nm—65 nm—————38 nm 以下38nm 以下38nm 以下65nm 以下65nm 以下110nm 以下110nm 以下150 nm 以下——
投影光学系——NA 1.35NA 1.35(インライン反射屈折レンズ)——可変 NA 0.93——可変 NA 0.55〜0.80(ZEISS Starlith 865)可変 NA 0.55〜0.80(ZEISS Starlith 860+)可変 NA 0.55〜0.80(Carl Zeiss Starlith 860+)——————————
光源・NA—————————————ArF 液浸(193nm)・1.35ArF 液浸(193nm)・1.35ArF ドライ(193nm)・0.92ArF ドライ(193nm)・0.92KrF(248nm)・0.82KrF(248nm)・0.82———
対応ウェハ径300 mm——————————300 mm———————100/125/150/200 mm(選択)——
主要用途先端メモリ・ロジック(EUV との混用工程)——————2X nm 以降のメタル・ビア・注入層——————————————
改善—製品上の重ね合わせ 15% 改善・スループット 5% 向上——————NXT:870 比 20% 向上—————————————
特徴—ダイヤモンドウェーハテーブル—————KrF で業界最高の NA と生産性——————————————
開口数(NA)————————————1.35——————0.65 ~ 0.50(自動可変)——
光源・解像力————————————————————KrF 248nm・90nm 以下KrF 248nm・130nm 以下
1機種だけが掲載している項目(9件)
ステージデュアルステージ—————————————————————
プラットフォーム——NXT4———————————————————
生産性———最高 1 日 4,600 枚——————————————————
性能————装置間マッチング重ね合わせ 2.5nm・毎時 330 枚—————————————————
重ね合わせ—————製品上 4.5nm 未満(ドライ機で初)————————————————
関連機種————————————NSR-S636E(後継機)—————————
ウェハサイズ——————————————————200/300mm 両対応———
NA・画面サイズ————————————————————0.86〜0.50(自動可変)・26 × 33mm—
画面サイズ・縮小比—————————————————————33 × 42.2mm・1:3.125

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •65nm 世代の ArF ドライ露光

掲載カテゴリ

TWINSCAN XT:1460Kは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

ASML

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

ASML の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

DUV露光装置のほかの製品

ASMLのほかの製品

関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
半導体製造装置の製品一覧へ →