ASML/i線ステッパー

TWINSCAN XT:400M

200mm・300mm ウェーハを全面 20nm 以下の重ね合わせで描く i 線のデュアルステージ露光装置。XT:400L の後継。

TWINSCAN XT:400Mとは

TWINSCAN XT:400M は、ASML のデュアルステージの i 線ドライ露光装置です。200mm と 300mm のウェーハを、ウェーハ全面で 20nm 以下の重ね合わせで描きます。

XT:400L の後継機で、成熟技術の市場向けに生産性を高めました。改良にプロセスの変更が要らないため、ファブへの組み込みが簡単で、古い装置からのアップグレードも既存の手順のまま立ち上げられます。

XT:400L と同じく、オプションのハードウェアで 220nm の解像度に達します。光学カラムの改良など最新の光学技術で、透過率を高めています。

主な特長

  • •重ね合わせ 20nm 以下
  • •200/300mm 対応
  • •プロセス変更なしでアップグレード

主な仕様

光源i 線(水銀ランプ)
重ね合わせウェーハ全面で 20nm 以下
解像度オプションで 220nm

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目ニコン(Nikon)NSR-SF155ニコン(Nikon)NSR-2205iL1キヤノン(Canon)FPA-5550iZ2キヤノン(Canon)FPA-5550iXキヤノン(Canon)FPA-3030i6キヤノン(Canon)FPA-3030i5aキヤノン(Canon)FPA-3030iWaASMLTWINSCAN XT:400MASMLTWINSCAN XT:260Onto InnovationJetStep® X500Onto InnovationJetStep® S3500
解像度280 nm 以下350nm 以下(オプション適用時)350 nm 以下————オプションで 220nm——L/S 2/2µm(オプションで 1/1µm)
光源i 線(365 nm)—i 線(365 nm)————i 線(水銀ランプ)i 線(水銀ランプ)——
解像力———0.5 µm0.35µm 以下—0.8µm 以下————
開口数(NA)0.62—0.57 ~ 0.45(自動可変)————————
スループット200 枚/時 以上———————毎時 270 枚(340 mJ/cm²)——
重ね合わせ精度25 nm 以下—SMO 18 nm 以下・MMO 25 nm 以下(オプション)————————
関連機種NSR-2205iL1(解像度 350 nm 以下)—FPA-5550iZ(前機種、スループット約 20% 向上)————————
ウエハーサイズ—————50〜200 mm50〜200 mm————
1機種だけが掲載している項目(18件)
光源・NA—i 線(365nm)・0.45—————————
縮小倍率・露光範囲—1:5・22 × 22mm—————————
ウェハサイズ—2〜8 インチ(オプション)—————————
対応ウェハ径——200/300 mm(選択)————————
画面サイズ———50 × 50 mm———————
アライメント———明視野・暗視野検出・赤外による裏面アライメント(オプション)———————
NA————0.30〜0.63(選択可能)——————
処理枚数————毎時 130 枚(8 インチ)——————
生産性—————従来機比 約 17% 向上(8 インチ)—————
消費電力—————従来機比 約 20% 削減—————
NA・画面サイズ——————0.24〜0.16(自動可変)・52 × 52mm————
重ね合わせ———————ウェーハ全面で 20nm 以下———
投影光学系————————可変 NA 0.25〜0.35・2 倍縮小——
対象基板—————————CCL・FR4・複合材・ガラスなどのパネル—
特徴—————————業界最大の露光フィールド・大きな焦点深度・XY 独立の倍率補正—
主要用途—————————AICS・チップレットの大型パッケージ—
対応基板——————————最大 650 × 650 mm
露光フィールド——————————59.4 × 59.4 mm

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •成熟ノードの i 線露光

掲載カテゴリ

TWINSCAN XT:400Mは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

ASML

EUV露光装置の唯一のグローバルサプライヤー。極紫外光リソグラフィ技術でムーアの法則を延命させ、5nm以下の先端プロセスに不可欠。

ASML の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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