ArF 浸潤式微影（ArF Immersion Lithography）是以 ArF 準分子雷射（波長193nm）為光源的浸潤式曝光技術。在投影透鏡與晶圓之間注滿超純水（折射率 n≈1.44），可將等效波長縮短至約134nm，實現高數值孔徑（NA≤1.35）與高解析度。自2006年前後起成為45nm 節點以後先進半導體製造的主力技術，即使在 EUV 曝光普及的現在，仍用於許多步驟。
浸潤式曝光的原理在於以折射率高於空氣（n≈1.0）的水（n≈1.44）填滿光路，即使數值孔徑 NA 相同，成像解析度也能提升。在解析度 R = k₁×λ/(NA×n)的公式中，分母加入 n 使理論解析度獲得改善。在以水進行浸潤式曝光的實用化上，艾司摩爾（ASML）扮演了領導角色。
ArFi 曝光機目前仍用於 DRAM、NAND Flash、邏輯晶片的多數曝光層（對準標記、周邊電路、部分中間層等），就整座工廠的曝光機台數而言，ArFi 遠多於 EUV。此外，與多重圖案化（SADP：自對準雙重圖案化、SAQP）結合，可形成超越 ArFi 單獨解析極限的微細圖形。
ArFi 浸潤液（超純水）的管理是重要的技術課題。晶圓移動時若水飛濺（水痕，watermark）會造成缺陷，因此採用了以浸潤頭（局部填充結構）侷限水的技術，以及撥水性光阻保護塗層（TARC）等方法。
主要廠商為艾司摩爾（TWINSCAN NXT 系列：ArFi 市場市占約75～80%）與尼康（NSR-S631E 等）。佳能未投入浸潤式 ArFi，而專注於 KrF、i 線以及自家的奈米壓印（NIL）技術。艾司摩爾的 TWINSCAN NXT:1980Di 作為最先進的 ArFi 設備，已導入許多先進晶圓廠。