等向性蝕刻（isotropic etching）是材料往所有方向以相同速度被切削的蝕刻；非等向性蝕刻（anisotropic etching）則是往特定方向（通常是深度方向）強烈切削、幾乎不往側面切削的蝕刻。從遮罩開口開始切削時，等向性蝕刻會往側面擴大同樣的量，切削到遮罩下方（底切，undercut），斷面呈圓弧狀的凹陷；非等向性蝕刻則會把遮罩形狀直接往下轉寫成垂直的壁。
等向性的代表，是以藥液溶解的濕式蝕刻，以及只用電漿中自由基（中性粒子）切削的蝕刻，兩者都是粒子從各個方向撞擊表面。另一方面，RIE（反應離子蝕刻）等乾式蝕刻中，以電場加速的離子垂直飛向基板、集中撞擊底部，側壁則附著保護膜，因此成為非等向性。例外是以 KOH 等鹼液溶解矽時，因為不同晶面的溶解速度差異很大，即使是藥液也會形成沿著晶體方向的非等向性形狀（54.7度的斜面等）。
要直接轉寫微細圖形，非等向性不可或缺，現在前段製程的圖形加工多以乾式蝕刻進行。等向性蝕刻則用於即使側向切削也無妨的全面去膜、圓角處理、把結構下方掏空使其懸浮的 MEMS 釋放（release）製程，以及需要高選擇比的場合。以側向切削量與縱向切削量的比，表示非等向性的程度。
