濕式蝕刻設備是什麼

濕式蝕刻設備是使用氫氟酸（HF）・硝酸・氫氧化鉀（KOH）等藥液，在液相中溶解・去除晶圓表面氧化膜・氮化膜・金屬等的設備。其特性為等向性蝕刻（全方向均勻去除），廣泛用於原生氧化層去除・犧牲層去除・清洗前處理等。分為批次式與單晶圓式，在先進製程中，對異物管理與藥液純度的要求逐年嚴格。

重點整理

以氫氟酸・KOH等藥液溶解去除氧化膜・氮化膜・金屬

屬於等向性蝕刻，不適合微細圖形加工，但均勻性優異

廣泛用於原生氧化層去除・犧牲層蝕刻・清洗前處理

分為批次式（多片一次處理）與單晶圓式（逐片精密處理）2種方式

藥液純度・溫度・濃度的精密控制直接影響良率

濕式蝕刻適合哪些用途？

適合大面積・均勻的蝕刻、犧牲層去除與原生氧化層去除。在不需要微細圖形精度的工序，例如清洗前處理或MEMS的等向性加工中也有應用。

濕式蝕刻設備的主要供應商有哪些？

SCREEN Semiconductor Solutions（日本）、東京威力科創（TEL，日本）、科林研發（Lam Research，美國）、Modutek（美國）等是主要廠商。由於與清洗設備的功能重疊，清洗設備廠商也加入此領域是其特點。

灰化設備是以氧電漿產生的氧自由基，將光阻分解為二氧化碳與水，並以氣體形式去除的設備。

乾式蝕刻設備（乾式蝕刻機）是使用電漿或反應性氣體，在氣相中精密去除矽・氧化膜・金屬薄膜等的半導體前段製程設備一覽。

各材料專用蝕刻機（Material Etcher）是指在乾式蝕刻中，針對要去除的薄膜材料（氧化膜・氮化膜・多晶矽・金屬・化合物半導體等），分別最佳化電漿化學物種・氣體配方・電極結構…

金屬蝕刻機是以電漿精密去除鋁・鎢・鈦・鈷・釕等金屬導線・阻障金屬層的專用乾式蝕刻設備。

氧化膜蝕刻機是以電漿精密去除矽氧化膜（SiO₂）・高介電常數氧化膜（HfO₂等）・BPSG・TEOS氧化膜等絕緣膜的專用設備。

多晶矽蝕刻機是以氯系・溴系電漿，精密加工廣泛用作閘極電極・硬遮罩・電極材料之多晶矽膜的設備。

矽蝕刻機是以電漿或反應性氣體選擇性去除單晶矽・磊晶矽的設備，用於STI（淺溝槽隔離）・深溝槽電容・FinFET鰭片形成・SOI加工等多種工序。