線鋸、切片設備是什麼

切片設備是將成長完成的單晶晶棒切成薄晶圓的設備。目前主流為線鋸，在細鋼線上透過磨粒（游離磨粒研磨液或固定磨粒鑽石）同時切出數百片晶圓。課題包括降低切口損失（kerf loss）、厚度不均（TTV）、翹曲（warp）及抑制切斷面損傷，對 SiC 等硬脆材料而言，兼顧加工效率與良率尤為重要。

重點整理

以線鋸從 1 根晶棒同時切出數百片

分為游離磨粒（研磨液）方式與固定磨粒（鑽石線）方式

降低切口損失（kerf loss）以提升材料利用率

抑制 TTV（厚度不均）、翹曲與加工損傷是品質關鍵

什麼是線鋸？

是讓磨粒作用於細金屬線，將晶棒切成薄片的設備。排列數百條線，可一次切出大量晶圓。

SiC 為何難以切割？

SiC 的硬度僅次於鑽石，因此切割耗時，線材與磨粒的磨耗也大。兼顧加工效率與良率是課題。

化合物半導體基板製造設備是製造 SiC、GaN、GaAs、InP 等矽以外之半導體基板並進行沉積的設備群。

單晶生長設備是將多晶矽原料熔融，從晶種成長出無缺陷單晶晶棒的設備。

雙面拋光設備（DSP）是以上下研磨盤同時拋光晶圓正反兩面，做出高平坦度與平行度的設備。

晶圓基板檢測設備是針對投入元件製程前的鏡面晶圓，檢測表面異物、刮傷、LPD（光點缺陷）、形狀、電阻率等的設備群。

晶圓邊緣拋光設備是拋光經倒角（bevel）加工之晶圓外周部，去除邊緣粗糙與微裂紋的設備。

晶圓拋光與倒角設備是將切片後的晶圓表面鏡面化、整修邊緣之精加工製程的設備群。