相位移光罩（PSM：Phase Shift Mask）是讓通過光罩部分區域的光相位偏移180°，使通過相鄰開口的光彼此干涉（相互抵消），藉此提高圖形對比與解析度的解析度增強技術（RET）之一。比起僅有遮光的一般光罩，可轉印更微細的圖形。
代表性方式有在相鄰開口交替反轉相位的交替式相位移（Alt-PSM，Levenson型），以及讓遮光部分透過少量光並反轉相位的半色調（衰減式）相位移（EAPSM）。前者提升解析度的效果較大，後者則因容易應用而廣泛使用。
相位移光罩與OPC（光學鄰近效應修正）、離軸照明（off-axis illumination）等其他RET搭配使用，提高了ArF等DUV曝光的解析極限。即使在EUV問世之後，在成熟至中階先進節點的DUV製程中仍是重要技術。
光罩製造需要高精度的電子束寫入與檢測，NuFlare Technology（寫入設備）以及凸版（Toppan）、大日本印刷（DNP）、HOYA（光罩廠商）等皆參與其中。搭配光罩、OPC、倍縮光罩（reticle）、空白光罩（mask blank）等條目一起閱讀，即可理解微影中解析度增強的全貌。