Centura Tetra Z Photomask Etch 是應用材料蝕刻 10nm 以後邏輯・記憶體用光學微影光罩的設備。提升業界領先的 Tetra 平台能力，支援先進的解析度增強技術，以及浸潤式微影延伸至 4 重圖案化。
可蝕刻 10nm 先進二元光罩與相位移光罩（PSM）所需的極端 OPC（光學鄰近效應修正）圖案。對鉻、MoSiON、硬遮罩、石英，在任何尺寸與圖案密度下都能以近乎零缺陷進行均勻且線性的精密蝕刻。
以優異的 CD 性能與高蝕刻選擇比，可用薄光阻形成微細的光罩圖案。以 CD 偏差控制功能因應各客戶的要求，並以獨家的石英蝕刻深度控制精密做出相位角。