最後更新:2026年10月23日PVD 設備

Endura PVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・PVD 設備

被視為半導體史上最成功之金屬化系統的應用材料 PVD 平台。含 2 個預清洗腔在內,最多可組合 9 個腔體。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Endura PVD 是應用材料(Applied Materials)所稱「半導體產業史上最成功的金屬化系統」的 PVD(物理氣相沉積)平台。從鈷、鎢的前段製程導線、鋁・銅導線,到 UBM 等封裝用途都廣泛使用;廠商表示,過去20年間製造的微晶片大多是以 Endura 生產。

可在嚴格控制膜厚的情況下,以優異的底部覆蓋率與高順應性(conformality)沉積多種超高純度薄膜。含 2 個預清洗(去除自然氧化層)腔在內,最多可搭載 9 個製程腔體,並可組合腔體構成一連串多步驟製程。

在 150mm/200mm 方面,功率元件、MEMS、RF、光子學、TSV 等 More than Moore 用途,需要以低溫沉積 Sc 摻雜 AlN、PZT、AlN、ITO、Al₂O₃、Ge 等新材料的厚而均勻薄膜。設備也具備考量透明 SiC 晶圓傳送的功能。

主要規格

適用晶圓尺寸150/200/300 mm
方式PVD(濺鍍)多腔體
腔體配置最多 9 個腔體(含 2 個預清洗腔)
主要用途Co・W・Al・Cu 導線、UBM、功率・MEMS 用新材料

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

最多可組合 9 個腔體(含 2 個預清洗腔)
高純度・高底部覆蓋率・高順應性
Sc 摻雜 AlN・PZT 等 More than Moore 用新材料
支援透明 SiC 晶圓傳送

主要用途

  • Co・W 的前段製程導線、Al・Cu 導線
  • UBM(凸塊下金屬層)
  • 功率・MEMS・RF・光子學的薄膜沉積

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

所屬設備分類

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Endura PVD