雷射退火設備是什麼

雷射退火設備是對晶圓表面照射雷射光（UV 準分子雷射或綠光雷射），在毫秒以下的超短時間內進行局部高溫處理的熱處理設備。由於不加熱整個基板、只瞬間加熱表面，可將熱預算（thermal budget）降到極限。用於離子佈植後的雜質活化、淺接面形成、多晶矽的單晶化（ELA：準分子雷射退火）等。在 FinFET・GAA 等 3D 結構元件的製造，以及 3D 堆疊結構的背面供電（BSPD）中，作為避免對下層元件造成熱損傷的重要技術，採用正持續擴大。

相關用語

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熱處理設備的其他分類

退火爐是在成膜或離子佈植後加熱晶圓，以推進晶體缺陷修復、雜質活化、膜緻密化與應力緩和的熱處理設備。

擴散爐（Diffusion Furnace）是將多片晶圓（數十～百片以上）排列在石英管內，在高溫（600～1200°C）環境氣體中同時進行熱處理的批次式熱處理設備。

氧化爐是將矽晶圓置於高溫（800～1100°C）的水蒸氣或乾燥氧氣環境中，使矽表面熱氧化形成 SiO₂（矽氧化膜）的熱處理設備。

RTP（快速熱處理）設備

RTP（Rapid Thermal Processing：快速熱處理）設備是使用鹵素燈或閃光燈，在數秒～數十秒內將半導體晶圓快速加熱至高溫（400～1200°C）並快速冷卻的單片式…

雷射退火設備的主要機型（3）

雷射退火設備的主要廠商

所屬主題

離子佈植・熱處理（主題）

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