氧化爐是什麼
氧化爐是將矽晶圓置於高溫（800～1100°C）的水蒸氣或乾燥氧氣環境中，使矽表面熱氧化形成 SiO₂（矽氧化膜）的熱處理設備。有濕式氧化（H₂O 環境，成膜速度快）與乾式氧化（O₂ 環境，膜質高）2 種方式。廣泛用於 STI（元件隔離）的絕緣膜形成、閘極氧化層形成、場氧化層形成等 CMOS 製造的基本製程。以批次式立式擴散爐為主流，可同時處理數十～百片以上的晶圓。先進邏輯節點正轉向 High-k 介電膜，而在成熟節點・功率半導體・類比元件方面，熱氧化爐仍是主力設備。
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熱處理設備的其他分類
退火爐
退火爐是在成膜或離子佈植後加熱晶圓，以推進晶體缺陷修復、雜質活化、膜緻密化與應力緩和的熱處理設備。
擴散爐擴散爐（Diffusion Furnace）是將多片晶圓（數十～百片以上）排列在石英管內，在高溫（600～1200°C）環境氣體中同時進行熱處理的批次式熱處理設備。
雷射退火設備雷射退火設備是對晶圓表面照射雷射光（UV 準分子雷射或綠光雷射），在毫秒以下的超短時間內進行局部高溫處理的熱處理設備。
RTP（快速熱處理）設備RTP（Rapid Thermal Processing：快速熱處理）設備是使用鹵素燈或閃光燈，在數秒～數十秒內將半導體晶圓快速加熱至高溫（400～1200°C）並快速冷卻的單片式…