Minimal Fab(迷你晶圓廠)是什麼
Minimal Fab(迷你晶圓廠)是使用直徑 0.5 英吋的迷你晶圓與局部潔淨化技術,不使用無塵室即可製造半導體、適合少量多樣的生產方式。由日本產業技術總合研究所提出,設備寬度統一為 294mm,各設備內建 PFC(局部潔淨空間),因此不需要大規模的無塵室投資。採用以 1 片晶圓製作 1 種元件的概念,鎖定試作及感測器、功率半導體等多樣少量領域,壓縮初期投資與開發期間。
重點整理
以 0.5 英吋迷你晶圓與局部潔淨化,免除無塵室
設備寬度統一為 294mm,各設備內建 PFC
以 1 片晶圓製作 1 種元件、適合少量多樣的方式
在試作、感測器、功率半導體領域壓縮初期投資與開發期間
常見問題
Minimal Fab 與一般 300mm 晶圓廠有何不同?
300mm 晶圓廠是在大尺寸晶圓上製作大量晶片,以量產規模降低成本的方式。Minimal Fab 則以 0.5 英吋晶圓與局部潔淨化大幅壓低設備投資,目標是在短期間內完成少量多樣生產與試作,兩者目的不同。
相關用語
比較文章
製程的其他分類
2nm 製程
2nm 製程是以台積電的 N2(預計 2025 年量產)、英特爾的 Intel 20A/18A、三星的 SF2 等為代表的次世代先進半導體製程。
3nm 製程3nm 製程是指依業界標準「製程節點」命名稱為 3nm 的先進半導體製造技術世代,實際電晶體閘極尺寸在 10nm 級,但在效能、密度、功耗效率方面較前一代(5nm)大幅改善。
5nm 製程5nm 製程是 2020 年前後開始量產的 FinFET 技術成熟世代,以台積電的 N5、三星的 EUV 5nm 為代表。
DRAM 製程DRAM 製程是製造揮發性記憶體 DRAM(Dynamic Random Access Memory)的半導體製造技術。
GAA 製程GAA 製程(Gate-All-Around Process)是形成閘極電極完全包圍電晶體通道四周之結構(GAA:Gate-All-Around)的製程技術。
邏輯製程邏輯製程是製造 CPU、GPU、FPGA、SoC 等運算與控制元件之半導體製程技術的總稱,設計上以高速電晶體切換、低功耗、高積集度為最優先。
記憶體製程記憶體製程是製造 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 等記憶體元件之半導體製程技術的總稱。
NAND 製程NAND Flash 製程是製造非揮發性記憶體 NAND Flash 的半導體技術。