ミニマルファブメーカー8社
ミニマルファブは、直径0.5インチのミニマルウェハと局所クリーン化技術を用い、クリーンルームを使わずに半導体を製造する少量多品種向けの生産方式です。産業技術総合研究所が提唱し、装置の幅は294mmに統一され、各装置がPFC(局所クリーン空間)を内蔵するため大規模なクリーンルーム投資が不要になります。1枚のウェハから1種類のデバイスを作る考え方により、試作やセンサ・パワー半導体など多品種少量の領域で初期投資と開発期間の圧縮を狙う方式です。
主要特徴
よくある質問
ミニマルファブは通常の300mmファブと何が違いますか?▾
メーカー
8社の主要メーカー
「切る・削る・磨く」技術の世界的リーダー。ダイシングソー、グラインダで市場トップシェアを持ち、超薄ウェーハ加工の完全ソリューションを提供。
- •ダイシングソー、グラインダで世界トップシェア
- •超薄ウェーハ加工の完全ソリューション
分析・計測機器の国内大手メーカー。半導体製造向けにはガス分析計・パーティクルカウンタ・分光エリプソメータなど、プロセス管理に不可欠な計測機器を展開する。
- •分析・計測機器で国内大手
- •半導体プロセス向けガス分析に強み
産業用計測・制御システムの国内大手メーカー。半導体ファブ向けにはプローバー関連装置やプロセス計測機器を含む幅広い計測・制御ソリューションを展開する。
- •産業計測・制御システムで国内大手
- •半導体ファブ向け計測機器を展開
空圧・流体制御機器の大手。半導体分野では超高純度ガス用バルブ、薬液用の耐薬品バルブ・ポンプ、ガスユニットを供給し、装置内の流体制御を支える。
- •空圧機器と流体制御機器の総合ラインナップ
- •半導体向け高純度・耐薬品バルブ
超高純度対応のバルブ・継手・レギュレータを手掛ける流体制御機器メーカー。半導体プロセスガス向けのダイヤフラムバルブや、MFCを組み込んだガスボックス(ガスパネル)をユニットで供給する。
- •超高純度(UHP)流体制御機器の設計技術
- •ダイヤフラムバルブ・継手で高いシェア
住友精密工業から分社した装置メーカー。シリコン深掘りエッチング装置(DRIE)とプラズマCVD装置を主力とし、MEMS・パワーデバイス・TSV形成など高アスペクト比加工の用途に強い。
- •シリコン深掘りエッチング(DRIE)の専業メーカー
- •MEMS・TSVなど高アスペクト比加工の実績
ジェイテクトグループの熱処理装置メーカー。半導体向けの縦型拡散炉・横型拡散炉、ランプアニール装置などを供給し、酸化膜形成や不純物拡散、活性化アニールの工程を支える。
- •縦型・横型の拡散炉を自社で設計製造
- •ランプ加熱による急速熱処理(RTP)に対応
ラッピングマシン・ポリッシングマシンを主力とする装置メーカー。シリコンウェハの両面研磨機や片面研磨機を供給し、ウェハの平坦度・厚みばらつきを決める工程を支える。
- •両面ラップ・両面ポリッシュ機の専業メーカー
- •大径ウェハの平坦度を作り込む加工ノウハウ
同じ分野の装置カテゴリ
2nmプロセスは、TSMCのN2(2025年量産予定)・IntelのIntel 20A/18A・SamsungのSF2などで代表される次世代先端半導体プロセスです。
メーカー 4 社3nmプロセス3nmプロセスは、業界標準の「プロセスノード」命名で3nmと呼ばれる先端半導体製造技術世代を指し、実際のトランジスタゲート寸法は10nm台ですが、性能・密度・電力効率の観点で前世代(5nm)から大幅な改善を実現します。
メーカー 4 社5nmプロセス5nmプロセスは、2020年前後に量産が始まったFinFET技術の成熟世代で、TSMCのN5・SamsungのEUV 5nmが代表的です。
メーカー 3 社DRAM製造プロセスDRAM製造プロセスは、揮発性メモリDRAM(Dynamic Random Access Memory)を製造するための半導体製造技術です。
メーカー 7 社GAAプロセスGAAプロセス(Gate-All-Around Process)は、ゲート電極がトランジスタチャネルの四方を完全に囲む構造(GAA:Gate-All-Around)を形成するための製造プロセス技術です。
メーカー 8 社ロジックプロセスロジックプロセスは、CPU・GPU・FPGA・SoCなどの演算・制御デバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称で、高速トランジスタスイッチング・低消費電力・高集積度を最優先に設計されます。
メーカー 15 社メモリプロセスメモリプロセスは、DRAM・NAND Flash・NOR Flashなどのメモリデバイスを製造するための半導体プロセス技術の総称です。
メーカー 6 社NAND製造プロセスNAND Flash製造プロセスは、不揮発性メモリNAND Flashを製造するための半導体技術です。
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