Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch 是應用材料蝕刻 EUV 曝光用光罩（reticle）的設備。EUV 光的波長約為 DUV 的 15 分之 1，可實現進一步的微縮。
在 13.5nm 波長下所有光罩材料都不透光，因此 EUV 光罩與讓 193nm 光穿透的傳統光罩根本不同，是以多層膜反射鏡反射電路圖案。由於這種多層結構，存在必須在維持光罩反射率的同時控制 CD、形狀、線邊緣粗糙度、選擇比與缺陷的特有難題。
Tetra EUV 針對 EUV 光罩新材料與複雜膜堆疊的蝕刻而設計，滿足在反射模式下取得高曝光良率所需的圖案精度、表面品質與缺陷規格。結合腔體與電力供應設計及專用製程化學，實現近乎無損傷的蝕刻，以及最高水準的 CD 均勻性與缺陷控制。