Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch
EUV フォトマスクをナノメートル精度でエッチングするために開発された装置。
Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etchとは
Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch は、EUV 露光用フォトマスク（レチクル）をエッチングする Applied Materials の装置です。EUV 光の波長は DUV の約 15 分の 1 と短く、さらなる微細化を可能にします。
波長 13.5nm ではあらゆるマスク材料が不透明になるため、EUV マスクは 193nm の光を透過させる従来マスクとは根本的に異なり、多層膜ミラーで回路パターンを反射させます。この多層構造のため、マスクの反射率を保ちながら CD、形状、ラインエッジラフネス、選択比、欠陥を制御するという特有の難しさがあります。
Tetra EUV は EUV マスクの新材料と複雑な膜スタックのエッチングに合わせて設計され、反射モードで高い露光歩留まりを得るためのパターン精度、表面仕上げ、欠陥の仕様を満たします。チャンバーと電力供給の設計を専用のプロセス化学と組み合わせ、ほぼダメージのないエッチング、最高水準の CD 均一性と欠陥制御を実現しています。
主な特長
- •EUV マスクの新材料・多層膜スタックに対応
- •ほぼダメージフリーのエッチング
- •最高水準の CD 均一性と欠陥制御
主な仕様
| 対象マスク | EUV マスク |
|---|---|
| 世代 | EUV リソグラフィ |
| 関連機種 | Tetra Z |
| 主要用途 | EUV マスクの吸収体エッチング |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsCentura® Tetra™ Z Photomask Etch | Applied MaterialsCentura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch |
|---|---|---|
| 対象マスク | ArF 液浸用フォトマスク | EUV マスク |
| 世代 | 10nm 以降（4重パターニング） | EUV リソグラフィ |
| 関連機種 | Tetra III（45nm）・Tetra X（22nm） | Tetra Z |
| 主要用途 | 先端フォトマスクのエッチング | EUV マスクの吸収体エッチング |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •EUV フォトマスク（レチクル）の製造
掲載カテゴリ
Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etchは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。