光罩蝕刻設備是什麼
光罩蝕刻設備是以經過電子束寫入與顯影的光阻圖案為遮罩，蝕刻空白光罩上的鉻膜或相位移膜（MoSi），形成最終遮光圖案的設備。以乾式蝕刻方式為主流，由於對象是絕緣性的石英基板，需要有別於晶圓用設備的充電效應（Charge-up）對策與面內均勻性設計。CD 均勻性與蝕刻後的側壁形狀，會影響曝光時的解析性能與光罩誤差增強因子。
重點整理
蝕刻鉻膜・相位移膜（MoSi），形成遮光圖案
以乾式蝕刻方式為主流，要求高面內 CD 均勻性
對象為絕緣性石英基板，需要充電效應對策
側壁形狀影響解析性能與光罩誤差增強因子（MEEF）
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