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Applied Materials／マスクエッチング装置

Centura® Tetra™ Z Photomask Etch

10nm 以降の4重パターニングに対応した業界初のフォトマスクエッチング装置（2015年）。

Centura Tetra Z Photomask Etchとは

Centura Tetra Z Photomask Etch は、10nm 以降のロジック・メモリ向けの光リソグラフィ用フォトマスクをエッチングする Applied Materials の装置です。業界をリードする Tetra プラットフォームの能力を高め、高度な解像度向上技術や、液浸リソグラフィの 4 重パターニングへの延命を支えます。

10nm の先端バイナリマスクや位相シフトマスク（PSM）に必要な極端な OPC（光近接効果補正）パターンのエッチングを可能にします。クロム、MoSiON、ハードマスク、石英に対し、あらゆる寸法・パターン密度で均一かつ線形な精密エッチングを、ほぼゼロ欠陥で行います。

優れた CD 性能と高いエッチング選択比により、薄いレジストで微細なマスクパターンを形成できます。CD バイアスの制御機能で顧客ごとの要求に対応し、独自の石英エッチング深さ制御で位相角を精密に作り込みます。

主な特長

  • •10nm 以降の先端バイナリマスク・位相シフトマスク
  • •Cr・MoSiON・ハードマスク・石英の精密エッチング
  • •CD バイアス制御と石英エッチ深さ制御
  • •ほぼゼロの欠陥

主な仕様

対象マスクArF 液浸用フォトマスク
世代10nm 以降（4重パターニング）
関連機種Tetra III（45nm）・Tetra X（22nm）
主要用途先端フォトマスクのエッチング

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Applied MaterialsCentura® Tetra™ Z Photomask EtchApplied MaterialsCentura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch
対象マスクArF 液浸用フォトマスクEUV マスク
世代10nm 以降（4重パターニング）EUV リソグラフィ
関連機種Tetra III（45nm）・Tetra X（22nm）Tetra Z
主要用途先端フォトマスクのエッチングEUV マスクの吸収体エッチング

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •ロジック・メモリ向け光リソグラフィ用フォトマスクの製造

掲載カテゴリ

Centura Tetra Z Photomask Etchは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

マスクエッチング装置

マスクエッチング装置は、電子線描画と現像を経たレジストパターンをマスクとして、ブランクス上のクロム膜や位相シフト膜（MoSi）をエッチングし、最終的な遮光パターンを形成する装置です。

メーカー 2 社

メーカー

Applied Materials

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

Applied Materials の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

マスクエッチング装置のほかの製品

Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（Applied Materials）

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関連用語

フォトマスクとは→位相シフトマスク（PSM）とは→レチクルとは→ドライエッチングとは→
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06
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