Reflexion LK Prime CMP
2ステップCMPに最適化された300mm向けCMPプラットフォーム。研磨・洗浄モジュールを増やし、Reflexion LK CMPに対して処理能力を高めた上位機種。
Reflexion LK Prime CMPとは
Reflexion LK Prime CMP は、Applied Materials の 300mm 向け CMP（化学機械研磨）システムです。4枚の研磨パッド、6個の研磨ヘッド、8つの洗浄チャンバー、2つの乾燥チャンバーを順に並べた構成で、2ステップの CMP に最適化されています。
研磨・洗浄のモジュール数は 14 で、従来機 Reflexion LK CMP の 7 から倍増しました。ウェーハ搬送の最適化と合わせ、多くの用途でスループットが最大2倍になるとされています。
各研磨・洗浄ステーションを独立して使えるため、逐次・並列・バッチのいずれの処理も選べます。たとえば 3D NAND の厚い膜と大きな段差は長時間の安定した研磨を必要としますが、これを複数のプラテンに分けた短い研磨の連続として行うことで、平坦化を安定させ欠陥を減らせます。
主な特長
- •研磨パッド4・研磨ヘッド6・洗浄チャンバー8・乾燥チャンバー2 の構成
- •研磨・洗浄モジュール 14（Reflexion LK CMP は 7）
- •多くの用途でスループット最大2倍
- •逐次／並列／バッチの処理を選べ、プラテンごとに条件を調整可能
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 研磨部構成 | 研磨パッド 4・研磨ヘッド 6 |
| 洗浄・乾燥部 | 洗浄チャンバー 8・乾燥チャンバー 2 |
| 処理モード | 逐次／並列／バッチを選択可能 |
| 主要用途 | 2ステップCMP・3D NAND向け平坦化 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsReflexion LK Prime CMP | 荏原製作所F-REX300XA | 東京精密（Accretech）ChaMP332 |
|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | 300 mm |
| 主要用途 | 2ステップCMP・3D NAND向け平坦化 | STI・層間絶縁膜の平坦化 | STI・層間絶縁膜の平坦化 |
| シリーズ構成 | — | F-REX300XA／F-REX300X／F-REX200M2（200 mm） | ChaMP332（300 mm）／ChaMP232（200 mm）／ChaMP211（小型機） |
1機種だけが掲載している項目（7件）
| 研磨部構成 | 研磨パッド 4・研磨ヘッド 6 | — | — |
|---|---|---|---|
| 洗浄・乾燥部 | 洗浄チャンバー 8・乾燥チャンバー 2 | — | — |
| 処理モード | 逐次／並列／バッチを選択可能 | — | — |
| 位置づけ | — | 標準機 F-REX300X の上位機種 | — |
| 特徴 | — | 高効率搬送機構・WPH最適化アルゴリズム | — |
| 研磨ヘッド | — | — | エアフロートヘッド「Sylphide」 |
| 加圧方式 | — | — | エア膜による均一加圧（面基準研磨） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •2ステップ CMP（STI・層間絶縁膜などの平坦化）
- •3D NAND の厚膜・大段差の平坦化
掲載カテゴリ
Reflexion LK Prime CMPは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
よくある質問
Reflexion LK CMP との違いは？
LK Prime は2ステップ CMP に最適化した上位機で、研磨・洗浄モジュールが 14（LK は 7）に増えています。LK は3プラテンの逐次研磨で3ステップ CMP に最適化されています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
酸化膜CMP装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
Reflexion LK CMP（金属CMP装置）Vantage Vulcan RTP（RTP（急速熱処理）装置）VIISta Trident（高電流イオン注入装置）VIISta 900XP（中電流イオン注入装置）Producer Celera PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer Precision APF PECVD（PECVD（プラズマCVD））Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System（ハイブリッドボンディング装置）Centris® Sym3® Y Etch（ドライエッチング装置）Sym3™ Z Magnum™ Etch（シリコンエッチャー）Centura® Etch（ポリシリコンエッチャー）Producer® Selectra® Etch（酸化膜エッチャー）Producer® Selectra® Mo Etch（金属エッチャー）Olympia® ALD（ALD装置）Producer® XP Precision® CVD（CVD装置）Endura® PVD（PVD装置）Centura™ Prime™ Epi（エピタキシャル成長装置）Raider® ECD（めっき装置（電解銅めっき））Centura® Tetra™ Z Photomask Etch（マスクエッチング装置）Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（マスクエッチング装置）Vantage® Astra™ DSA（レーザーアニール装置）VIISta® PLAD（プラズマドーピング装置）SEMVision™ H20（レビューSEM）VeritySEM® 20 CD Metrology（CD-SEM）Centura® Silvia™ Etch（TSV形成装置）VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）（CMOSイメージセンサー製造装置）VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）（SiCパワー半導体製造装置）Mirra® Durum™ CMP（SiCパワー半導体製造装置）SmartFactory MES（生産管理システム（MES））
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-05