Epsilon® 2000

ランプ加熱のシリコンエピタキシャル成長装置。ベルヌーイワンドによる非接触搬送と Silcore 原料で低温でも高い成膜速度を出す。

Epsilon 2000とは

Epsilon は、ASM のシリコンエピタキシャル成長装置です。内蔵のランプでウェーハを決まった温度に加熱し、CVD でシリコン系のエピ膜を成長させます。

特許のベルヌーイワンドによる非接触のウェーハ搬送が特長で、高温のままウェーハ表面を傷めずに搬送できるため、冷却を待つ方式よりスループットが高くなります。ASM の Silcore 原料との組み合わせで、低温でも業界最高の成膜速度を持ちます。

PowerFill のトレンチ埋め込みで、深いトレンチにエピ層を順に成膜でき、従来の複数工程のコストを減らします。トランジスタ形成用の選択・非選択のドープシリコン層、ウェーハ製造のブランケットエピ、アナログ・バイポーラ・BiCMOS 向けのエピに使われます。

方式	ランプ加熱のエピタキシャル CVD
特徴	ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill
主要用途	トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsCentura™ Prime™ Epi	Applied MaterialsCentura® Epi 200mm	Applied MaterialsCentura™ Xtera™ Epi	Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置）	ASMインターナショナルEpsilon® 2000	ASMインターナショナルIntrepid® ES
方式	枚葉エピタキシー	—	選択エピタキシャル成長	枚葉式 MOCVD	ラージバッチ縦型（真空ロードロック）	ランプ加熱のエピタキシャル CVD	エピタキシャル成長（等温反応炉・閉ループ制御）
主要用途	ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ	—	GAA ロジック・縦型 FinFET メモリ	GaN パワー・5G RF・フォトニクス	—	トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS	—
対応ウェハ径	300 mm	200 mm	—	—	300 mm	—	—
特徴	—	—	最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御	—	最大 1.25 倍のロット処理（同社比）	ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill	—
対象膜	Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP	—	—	GaN 系	—	—	—
構成	—	最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可	—	—	—	—	XP クラスターに最大 4 モジュール