最後更新:2026年10月23日TSV 形成設備

SPTS Osprey PECVD的特點與規格

科磊(KLA)・TSV 形成設備

針對先進封裝,以低至 110℃ 的低溫沉積絕緣膜的 PECVD。也用於混合鍵合與晶粒間的填充。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

SPTS Osprey PECVD 是科磊(KLA,SPTS)針對先進封裝的 PECVD 設備。具備適用於 300mm 接合基板與封膠的低溫成膜製程,可在低至 110℃ 的溫度下沉積已通過量產認證的高品質絕緣膜。

可在同一腔體內堆疊沉積 SiN 與 SiO,電氣特性的可靠度與長期穩定性優異。膜與堆疊的應力可在廣泛範圍內調整,晶圓內的應力變異比競爭對手的 PECVD 更小。另有針對會釋氣基板進行加熱的單片・多片除氣選配。

備有針對混合鍵合與晶粒間填充最佳化的 SiO、TEOS SiO、SiCN 等膜,用於 via-last TSV 的襯層、通孔顯露的鈍化、應力補償等。

主要規格

方式PECVD(最低 110℃)
膜種SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN 等
主要用途TSV 襯層・通孔顯露鈍化・混合鍵合

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

低至 110℃ 的低溫成膜
SiN/SiO 在同一腔體內堆疊
應力調整範圍廣

主要用途

  • TSV 襯層・通孔顯露
  • 混合鍵合用的絕緣膜

製造商與在台據點

在台據點
  • 台灣總部(新竹縣竹北市):台元科技園區,2025 年啟用新辦公室與訓練中心
  • 各地據點(新竹・桃園・林口・台中・台南・高雄):就近支援各科學園區的客戶

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資料來源

  1. 科磊(KLA)官方產品頁面:KLA