Endura Ventura PVD 是應用材料 TSV（矽穿孔）金屬化專用的 PVD 設備。在 2 維微縮逐漸接近極限之際，將晶片或晶圓堆疊並在垂直方向連接的 TSV 已成為 3D 化的手段。
可將 2D 鑲嵌（damascene）導線的設備與技術延伸到深寬比 10:1 以上的 TSV 及 2.5D 中介層。是第一套在 TSV 上實現可量產鈦阻障層成膜的 PVD 系統。
一般導線用的 PVD 並未考慮高深寬比，為了無孔洞填充必須鍍上很厚的膜。Ventura 兼顧高沉積速率與連續的階梯覆蓋率，因應成本與可靠度的課題。