SPTS Osprey® PECVD

先端パッケージ向けに 110℃ までの低温で絶縁膜を成膜する PECVD。ハイブリッド接合やダイ間の埋め込みにも使う。

SPTS Osprey PECVDとは

SPTS Osprey PECVD は、KLA（SPTS）の先端パッケージ向けの PECVD 装置です。300mm の接合基板やモールドに対応する低温の成膜プロセスを持ち、110℃ までの低い温度で量産認定済みの高品質な絶縁膜を成膜します。

SiN と SiO の積層を同じチャンバーで成膜でき、電気特性の信頼性と長期安定性に優れます。膜と積層の応力を幅広く調整でき、ウェーハ内の応力のばらつきは競合の PECVD より小さく抑えます。ガスを出す基板を温める枚葉・複数枚のデガスのオプションもあります。

ハイブリッド接合やダイ間の埋め込み向けに最適化した SiO、TEOS SiO、SiCN などの膜をそろえ、ビアラスト TSV のライナー、ビア露出のパッシベーション、応力補償などに使われます。

主な特長

•110℃ までの低温成膜
•SiN／SiO を同一チャンバーで積層
•応力の調整範囲が広い

主な仕様

方式	PECVD（最低 110℃）
膜種	SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN など
主要用途	TSV ライナー・ビア露出パッシベーション・ハイブリッド接合

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer™ Avila™ 2 PECVD	Applied MaterialsEndura® Ventura® PVD	Applied MaterialsProducer® Avila™ PECVD	Applied MaterialsProducer® InVia® CVD	荏原製作所UFP600AS型	東京エレクトロン（TEL）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus	KLASPTS Osprey® PECVD	レーザーテックVIANCA シリーズ	レーザーテックBGM300
方式	PECVD（200℃ 未満の低温処理）	PVD（TSV 専用）	PECVD（能動冷却で最低 100℃）	CVD（TSV 絶縁ライナー）	電解めっき（高速パドル方式）	—	PECVD（最低 110℃）	独自光学系による深さ測定	独自干渉計＋IR 光学系
特徴	ウェーハ反り（ボウ）補正の強化・Si／ガラスの支持基板に対応	量産に使える Ti バリア成膜を TSV で初めて実現	—	—	薄いシード層・多様な基板に対応、フレキシブルなプラットフォーム	50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus）	—	—	—
主要用途	TSV ビア露出・HBM・ハイブリッドボンディング用絶縁膜	—	—	—	バンプ・ピラー・再配線・貫通ビア・ファンアウト	—	TSV ライナー・ビア露出パッシベーション・ハイブリッド接合	ビアエッチング後の深さ・Cu リセス量・バンプ高さ	—
対象	—	アスペクト比 10:1 以上の TSV・2.5D インターポーザ	—	—	—	—	—	高アスペクト比・小径ビア（次世代 TSV）	—
膜種	—	—	酸化膜・窒化膜	—	—	—	SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN など	—	—
対応基板	—	—	—	—	パッケージ用角基板（パネル）	—	—	—	Φ300mm（TSV・BSI 貼り合わせウェーハ）

1機種だけが掲載している項目（6件）

構成	—	—	Twin Chamber の Producer GT（同時に最大 6 枚）	—	—	—	—	—	—
膜厚	—	—	—	200nm〜1µm	—	—	—	—	—
対応アスペクト比	—	—	—	6:1〜16:1	—	—	—	—	—
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	300 mm	—	—	—
仮接合精度	—	—	—	—	—	接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V）	—	—	—
装置サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	1,450 × 2,650 × 1,885 mm