最後更新:2026年10月23日TSV 形成設備

Centura Silvia Etch的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・TSV 形成設備

專為 TSV 設計的蝕刻設備。可在同一腔體內蝕刻矽與氧化層,同時支援先通孔(via-first)與後通孔(via-last)兩種方式。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Centura Silvia Etch 是應用材料(Applied Materials)用於 TSV(矽穿孔)深矽蝕刻的設備。TSV 是將堆疊的晶片或晶圓在垂直方向連接起來的導線,可實現超越打線接合與覆晶等 3D 方式的功能與效能。

Silvia 專為建立晶片或晶圓之間垂直連接所需的高難度深矽蝕刻而設計,解決了傳統手法在輪廓控制與高蝕刻速率之間的取捨問題。透過高密度電漿源,在各種晶圓級封裝用途中取得最高的矽・氧化層蝕刻速率。

蝕刻約占 TSV 製程的 15%。Silvia 的高產能,以及不使用耗材的製程套件所帶來的持有成本大幅降低,對壓低 TSV 技術整體導入成本有很大貢獻。

主要規格

蝕刻方式矽/氧化層蝕刻(同一腔體)
適用晶圓尺寸300 mm
主要用途先通孔/後通孔的 TSV 形成

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

TSV 用的深矽蝕刻
以高密度電漿源取得高矽・氧化層蝕刻速率
兼顧輪廓控制與高速率
免耗材製程套件,降低 CoO

主要用途

  • TSV(矽穿孔)的形成
  • 晶圓級封裝・3D 堆疊

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Centura Silvia Etch