最後更新:2026年10月23日TSV 形成設備

Producer InVia CVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・TSV 形成設備

在 TSV 內壁沉積共形且電性強健之絕緣襯層的 CVD。據廠商資料,是唯一能滿足 via-middle TSV 熱預算的方式。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Producer InVia 是應用材料針對 TSV 的 CVD 設備。在 via-first、via-middle 及中介層的 TSV 中,沉積共形(順著形狀)且電性強健的絕緣襯層。

在不產生整合問題的前提下,滿足先進世代 TSV 所需的共形性、電氣特性與可靠度。據廠商資料,這是唯一能滿足 via-middle TSV 所要求之熱預算與共形性的製程。

膜的絕緣崩潰電壓與漏電流相較標準規格有大幅改善。從 200nm 的薄襯層到 1µm 的厚襯層,可在 6:1 至 16:1 的廣泛深寬比下成膜,且不會剝離或龜裂。

主要規格

方式CVD(TSV 絕緣襯層)
膜厚200nm~1µm
適用深寬比6:1~16:1

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

共形的絕緣襯層
滿足 via-middle TSV 的熱預算
200nm~1µm・深寬比 6:1~16:1

主要用途

  • TSV 的絕緣襯層
  • 中介層

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Producer InVia