剥離液・側壁除去液メーカー4社
剥離液・側壁除去液は、役目を終えたレジストや、エッチング時に側壁へ堆積した反応生成物(ポリマー残渣)を溶かして取り除く薬液です。単に溶解力が強ければよいわけではなく、下地の銅配線やLow-k膜、バリアメタルを侵さない選択性が同時に求められます。有機アミン系、フッ化物含有系などがあり、対象となる残渣の組成と下地材料の組み合わせごとに処方が作り分けられます。残渣が残ればビア抵抗の上昇として、下地を侵せば配線細りとして不良になります。
主要特徴
スペック比較
複数の製品が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京応化工業(TOK)有機系レジスト剥離液 | 三菱ガス化学レジスト剥離液・洗浄液 | レゾナック(旧昭和電工)ポリマー除去液・洗浄液 |
|---|---|---|---|
| 液性 | 有機溶剤系・アミン系 | アミン系・アルカリ性水系 | フッ素系・有機系混合 |
| 処理温度の目安 | 40 ~ 80 °C | 50 ~ 80 °C | 室温 ~ 60 °C |
| 対象 | レジスト・アッシング残渣・ポリマー | 厚膜レジスト・メッキレジスト | エッチング側壁ポリマー・金属残渣 |
| 管理指標 | 下地メタル腐食・Low-k ダメージ・残渣率 | 溶解速度・液寿命・金属腐食性 | 残渣除去率・下地選択性 |
| 主要用途 | エッチング後の剥離・洗浄 | バンプ形成後のレジスト剥離 | ビア・コンタクトのエッチング後洗浄 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
有機系レジスト剥離液
アッシング後の残渣やレジストを溶かして落とす薬液。下地の金属や Low-k 膜を痛めない選択性が設計の中心になる。
| 液性 | 有機溶剤系・アミン系 |
| 処理温度の目安 | 40 ~ 80 °C |
| 対象 | レジスト・アッシング残渣・ポリマー |
| 管理指標 | 下地メタル腐食・Low-k ダメージ・残渣率 |
| 主要用途 | エッチング後の剥離・洗浄 |
レジスト剥離液・洗浄液
厚膜レジストやメッキ後レジストの剥離に使う薬液。バンプ形成工程のように膜が厚い場合は、溶解速度と液寿命が生産性を決める。
| 液性 | アミン系・アルカリ性水系 |
| 処理温度の目安 | 50 ~ 80 °C |
| 対象 | 厚膜レジスト・メッキレジスト |
| 管理指標 | 溶解速度・液寿命・金属腐食性 |
| 主要用途 | バンプ形成後のレジスト剥離 |
ポリマー除去液・洗浄液
ドライエッチングで側壁に生じるポリマーを除去する薬液。残すと次工程の成膜密着不良や配線抵抗の上昇につながる。
| 液性 | フッ素系・有機系混合 |
| 対象 | エッチング側壁ポリマー・金属残渣 |
| 処理温度の目安 | 室温 ~ 60 °C |
| 管理指標 | 残渣除去率・下地選択性 |
| 主要用途 | ビア・コンタクトのエッチング後洗浄 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
フォトレジスト専業の老舗メーカー。KrF〜ArF〜EUVと各世代のレジスト開発を継続し、現像液・洗浄剤などのプロセス薬品も手がける。
- •フォトレジスト専業メーカーとして70年超の実績
- •KrF〜EUV全世代対応のレジスト開発力
半導体用過酸化水素水・特殊化学品を手掛ける国内化学メーカー。洗浄工程で使われる高純度薬液を中心に、半導体材料事業を展開する。
- •高純度薬液で国内大手
- •洗浄工程向け化学品に強み
2023年に昭和電工と日立化成が統合して発足した半導体材料の総合メーカー。CMPスラリー・半導体封止材・エピタキシャルウェーハ・SiCエピウェーハを主力とする。
- •CMPスラリー(High-Purity Colloidal Silica)で世界上位シェア
- •SiCエピタキシャルウェーハで国内最大手。パワー半導体市場の拡大を追い風に
化学大手DuPontの電子材料部門。Low-k絶縁材・銅配線CMP材料・ArFフォトレジスト・半導体実装向け接着剤など先端材料を幅広く展開。
- •Low-k誘電体(Black Diamond)でインターコネクト材料のパイオニア
- •銅CMPスラリー・パッドの主要サプライヤー